封装/外壳 | SC-96 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 250V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 250V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.8 欧姆 @ 250mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.5nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 70pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 540mW(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | TSMT3 |
产品名称: RDR005N25TL
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: SC-96 / TSMT3
FET类型: N沟道MOSFET
最大漏源极电压 (Vdss): 250V
最大连续漏极电流 (Id): 500mA(在25°C环境下)
最大栅源电压 (Vgss): ±20V
功率耗散 (Pd): 540mW(在25°C环境下)
工作温度范围: -55°C至150°C
导通电阻 (Rds(on)): 8.8Ω @ 10V 和 250mA时
开启阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg): 最大值为3.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss): 最大值为70pF @ 25V
RDR005N25TL是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需要精确控制和高效率的电源管理应用而设计。该器件采用SC-96封装且具有良好的散热性能,使其在高电压和电流条件下可靠运行。其750V的额定电压使其特别适用于家电、消费电子、以及工业设备等广泛的应用场景。
RDR005N25TL的高电压和电流处理能力,使其在多个领域均表现出色:
在使用RDR005N25TL时,设计者需注意以下要点:
RDR005N25TL是一款集成度高、性能卓越的N沟道MOSFET,非常适合各种电源管理和开关控制的应用场景。ROHM作为这一领域的知名制造商,致力于提供高品质、高性能的电子元器件。本产品设计旨在满足现代电子产品在高效能和高稳定性方面的需求,是智能设备、工业设备和消费电子产品中的理想选择。通过合理的设计使用RDR005N25TL,能够进一步提升电源系统的效率和可靠性。