PSMN4R0-60YS,115
PSMN4R0-60YS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 4mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 130W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 74A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3501pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN4R0-60YS,115手册
PSMN4R0-60YS,115概述
PSMN4R0-60YS,115 产品概述
产品简介 PSMN4R0-60YS,115 是由安世（Nexperia）制造的一款高性能N通道MOSFET，具有卓越的电气特性和工业应用适应性。其设计旨在满足高功率和高效率的要求，非常适合用于电源管理、电动机驱动和开关电源等领域。该MOSFET具有最大漏源电压（Vdss）60V和连续漏极电流（Id）高达100A的能力，使其成为各种电子设备中的理想选择。
主要规格
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 100A (在25°C时，Tc)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 1mA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 4mΩ @ 15A, 10V
- 最大功率耗散: 130W (在Tc条件下，Ta=25°C)
- 工作温度范围: -55°C至175°C (Tj)
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装: LFPAK56, Power-SO8
性能特点 PSMN4R0-60YS,115 的主要优势在于其低导通电阻和出色的热性能。低导通电阻（4mΩ）意味着在高电流条件下，器件能够有效减少功率损耗，提高整体能效。这一属性对于要求高效能和低发热的应用尤为重要。
该MOSFET的最大功率耗散为130W，确保在恶劣或高负载条件下仍能保持稳定和可靠的工作。这使其适应于各种环境，并可用于高负载的工业设备和消费电子产品中。
此外，其宽广的工作温度范围(-55°C~175°C)使其能够在各种气候条件和工业环境中稳定运行。这对于涉及极端温度变化的应用（如汽车电子和航空航天设备）尤为重要。
电气特性 PSMN4R0-60YS,115 的栅源极阈值电压为4V，这意味着在该电压下MOSFET将开展导通。因此，设计之初就考虑到了降低栅源极驱动电压的需求，使得在低功耗驱动的情况下也能够实现高效的开关操作。
器件的输入电容Ciss达3501pF @ 30V，意味着在高频应用中，MOSFET可以快速响应信号变化，提升系统的开关性能。此外，52nC的栅极电荷（Qg）确保在高频开关条件下，能够有效降低驱动功耗。
应用领域 PSMN4R0-60YS,115 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在高效开关电源中用于提高能量转换效率。
- 电动机驱动: 用于控制电动机的启动和运行，提高其控制精度和输出功率。
- 电池管理系统: 在电池充电和放电管理中，提供精确的电气控制。
- 消费电子: 适用于各种高性能的消费电子产品，如电动车辆和可再生能源解决方案。
总结 PSMN4R0-60YS,115 N通道MOSFET因其高性能和专用设计成为了理想的电气控制器件，适合于要求严苛的工业和消费应用。它在降低功耗、提高效率及稳定性方面的优势显示出其作为现代电子设计中不可或缺的元件的潜力。无论是在电源管理还是电机驱动中，这款MOSFET都展现了其出色的性能特性，为提升终端产品的可靠性和效率奠定了基础。