安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 510 毫欧 @ 1A,4.5V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A(Ta) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 122pF @ 15V | Vgs(最大值) | ±8V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.4nC @ 4.5V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 功率耗散(最大值) | 350mW(Ta), 6.25W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
PMZB320UPEYL 是一款高性能 P 通道 MOSFET,专为表面贴装设计,适用于对空间有严格要求的现代电子电路。这种器件的最大漏源电压 (Vdss) 为 30V,适合在多种应用场景下使用,特别是电源管理、电机控制和负载开关等领域。其强大的性能和优良的热管理特性使其成为各种消费类及工业电子设备的理想选择。
PMZB320UPEYL 的设计使其表现出色,尤其在处理快速开关信号时,迅速的栅极电荷 (Qg最大值为1.4nC @ 4.5V) 显示出其优越的动态特性。这种特性对于需要高效切换和节能的应用尤为重要。此外,该器件的 Vgs(th)最大值为 950mV @ 250µA,确保在较低的栅驱动电压下就可以有效导通,从而提升整体电路的响应速度和功率效率。
PMZB320UPEYL 采用 DFN1006B-3 封装,其小型化设计可以有效节省电路板空间,方便安装在多层电路板设计中。此外,DFN封装具备良好的散热性能,可以帮助器件在高功率下稳定运行。
PMZB320UPEYL 是一款高效能和高度可靠的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围及强大的功率处理能力,适用于各种电子应用。凭借 Nexperia(安世)的可靠品质保证和先进制造工艺,PMZB320UPEYL 是重视性能及效率制造商的优选元件。
在进行设计和评估时,工程师可根据具体应用需求灵活利用 PMZB320UPEYL 的特性,确保其在电路中的表现达到最佳水平。