额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 300mA |
集射极击穿电压Vce | 160V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PMBT5551,215 是一款高性能的 NPN 晶体管,由知名半导体制造商 Nexperia(安世)推出。该产品具有优秀的电气特性和可靠的长期稳定性,广泛应用于信号放大、电源开关及其他数字电路中。其紧凑的 SOT-23 封装设计,适用于各种空间受限的 PCB 布局,特别适合现代消费电子、工业控制和通讯设备。
PMBT5551,215 的关键参数包括:
这些参数使 PMBT5551,215 在需要高频操作和高效能的应用场合表现优异。
PMBT5551,215 特别适合于以下应用领域:
信号放大:其高增益特性使 PMBT5551,215 成为音频和视频信号放大器的理想选择,能够有效提升信号质量。
开关电路:该晶体管能够处理高达 300 mA 的集电极电流,非常适合用于低功耗开关电路,如 LED 驱动、继电器驱动等应用。
射频应用:PMBT5551,215 的高频特性(300 MHz)允许其在射频放大的场合中使用,能满足各种无线通信设备的需求。
数字电路:适用于各种数字电路,既可以作为开关,也可以用作信号放大,能够兼容多种逻辑电平。
PMBT5551,215 采用紧凑的 SOT-23-3 封装,具有以下特点:
SOT-23 封装的引脚排列和设计确保产品具有稳定的热特性和电性能,能有效散热,提升其工作可靠性。
Nexperia 为 PMBT5551,215 提供了一系列严格的测试和认证,确保其在各种环境和条件下均能稳定工作。以最高 150°C 的结温设计,意味着该晶体管在高温环境中亦能正常工作,满足工业和汽车等领域的需求。
PMBT5551,215 是一款高效、可靠且具有多重应用潜力的 NPN 晶体管。凭借其优异的性能参数和紧凑的封装设计,它适用于各种需要高集电极电流和低饱和压降的电子产品。无论是在消费电子、通讯还是工业设备中,PMBT5551,215 都能够为设计师提供更多选择与灵活性,帮助他们开发出更高效和智能的电子解决方案。Nexperia 的优质保证和全球支持网络亦为产品提供了额外的信任度,确保用户在使用过程中的无忧体验。