晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 600mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 600mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
PIMD3,115 是安世(Nexperia)推出的一款高性能数字晶体管,集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,采用预偏压设计。该产品专为适应现代电子设备的需求而设计,具有小型化、功耗低、反应快等优点,非常适合在便携式电子产品、家电及工业自动化等领域的应用。
类型与结构:
电气特性:
增益特性:
静态特性:
封装与安装:
热管理:
PIMD3,115 的设计充分考虑了各种应用需求,适用于:
作为安世推出的产品,PIMD3,115 具备高品质和高可靠性,其性能参数更是经过严格测试,在市场上具备一定的竞争优势。 安世作为电子元器件行业的领导者,其专业的研发背景与先进的生产工艺保证了 PIMD3,115 在各种高压电流应用中的优越表现。
PIMD3,115 数字晶体管凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计,为电子工程师提供了一种灵活的解决方案。无论是在设计复杂的电源管理系统还是在开发新一代消费电子产品时,PIMD3,115 都将是一个极具价值的选择。