NX3008PBK,215
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-236AB
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW；1.14W 30V 230mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
4227(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.272按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.272
--
200+
￥0.175
--
1500+
￥0.153
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NX3008PBK,215参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 230mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.1Ω @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .72nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta），1.14W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
NX3008PBK,215手册
NX3008PBK,215概述
产品概述：NX3008PBK,215 MOSFET
1. 产品背景和定义
NX3008PBK,215 是一种高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名的半导体制造商 Nexperia（安世）生产。此器件专为低功耗应用设计，适合使用在各种电子电路中，包括开关电源、负载驱动和信号调节等场合。
2. 主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 持续漏极电流（Id @ 25°C）：230mA
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1.1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：4.1Ω @ 200mA, 4.5V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW，最大 Tc：1.14W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：TO-236AB/SOT-23-3
3. 应用领域
NX3008PBK,215 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 便携式设备：由于其低功耗特性，非常适合电池供电的便携式设备，帮助延长电池使用寿命。
- 开关电源：可以在开关电源中用作切换元件，提升电源效率。
- 负载驱动：可以用于驱动小功率负载，如LED灯、传感器和小型马达。
- 信号调节：在模拟和数字电路中，NX3008PBK,215 可用于信号开关和调节。
4. 性能优势
- 低导通电阻：4.1Ω 的导通电阻为用户提供了较低的电能损耗，促进了高效能的能源转换。
- 高耐压能力：准备工作时漏源电压可达到 30V，为电路提供了一定的安全余量，适应更多复杂电路设计需求。
- 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度使该器件适合在严苛的环境下运行。
- 小型封装：TO-236AB 封装使其在空间有限的应用环境中易于集成，特别是在小型电子产品中。
5. 设计考虑
在实际设计过程中，工程师在使用 NX3008PBK,215 时需要注意以下几点：
- 电源和负载要求：必须确保工作的电流和电压在器件的额定范围内，以防止损坏。
- 散热设计：由于最大功率耗散为350mW，适当的散热设计对于提高器件的可靠性至关重要，尤其是在高负载情况下。
- 驱动电压的选择：根据应用需求选择合适的驱动电压，以优化开关速度和功率损耗。
6. 总结
NX3008PBK,215 是一种多功能的 P 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和适应性，能够满足现代电子设备日益提高的性能要求。无论是在消费电子、工业控制还是电源管理系统中，NX3008PBK,215 都是一个极具吸引力的选择，为工程师提供了灵活的设计方案和可靠性。因此，选择 NX3008PBK,215 将为产品的性能和效率提供有力支持。