MBR0580S1-7
MBR0580S1-7参数
| 直流反向耐压（Vr） | 80V | 平均整流电流（Io） | 500mA |
| 正向压降（Vf） | 800mV @ 500mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80V | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 500mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 80V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
MBR0580S1-7手册
MBR0580S1-7概述
MBR0580S1-7 产品概述
MBR0580S1-7是一款高性能的肖特基二极管，专为高效率电源和快速开关应用而设计。该产品由知名半导体制造商DIODES（美台）生产，采用SOD-123封装，适合表面贴装（SMD）技术，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子及工业设备中。
主要参数概述
直流反向耐压（Vr）: MBR0580S1-7的最大反向耐压为80V，这意味着它能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理和转换应用。
平均整流电流（Io）: 该二极管可承受的平均整流电流为500mA，可以满足大多数常见应用的需求，例如电池充电和DC-DC变换器。
正向压降（Vf）: 在500mA的工作条件下，MBR0580S1-7的正向压降为800mV。这一数值表明该二极管在导通状态下的能量损耗较小，有助于提高系统整体效率，减少发热。
反向泄漏电流: 在80V的反向电压下，反向泄漏电流仅为5µA，非常低的漏电流意味着其在待机状态下能够保持良好的电源效率。
快速恢复时间: MBR0580S1-7具有快速恢复特性，恢复时间小于500ns，这使其特别适用于高频开关电路，能够快速响应变化，减少开关损失。
电容特性: 在5V和1MHz的频率下，该二极管的电容值为15pF，表现出良好的高频特性，适合在高频环境下使用。
工作温度范围
MBR0580S1-7的工作结温范围为-55°C至175°C，确保在极端环境条件下仍然可以稳定运行。这一特性使得MBR0580S1-7在工业、汽车及其他高温应用场景中表现出色。
应用领域
由于其卓越的电性能与宽广的工作温度范围，MBR0580S1-7适用于多种应用场景，包括：
- 电源管理: 网络电源模块，开关电源，DC-DC转换器。
- 汽车电子: 用于车载充电系统、LED照明等。
- 消费电子: 手机充电器、便携式媒体播放器等。
- 工业设备: 电机驱动、自动化控制系统。
结论
总的来说，MBR0580S1-7是一个高效可靠的肖特基二极管，凭借其低正向压降、高反向耐压和快速响应特性，成为多种电源管理及高效电路设计的理想选择。无论是用于商业产品还是工业应用，MBR0580S1-7都能够提供出色的性能，帮助设计师在实现高效电源转换与管理的同时保证系统的稳定性和可靠性。通过选择MBR0580S1-7，工程师可以有效提升产品的性能，满足现代电子设备对高效率和低能耗的需求。