放大器类型 | J-FET | 电路数 | 2 |
压摆率 | 13V/µs | 增益带宽积 | 3MHz |
电流 - 输入偏置 | 50pA | 电压 - 输入补偿 | 5mV |
电流 - 供电 | 3.6mA | 电压 - 供电,单/双 (±) | ±3.5V ~ 18V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
LF353DR 是德州仪器(Texas Instruments, TI)推出的一款高性能运算放大器,采用场效应晶体管(J-FET)输入结构。作为一款双通道运算放大器,LF353DR 主要用于高性能信号处理和放大应用。该器件专为对输入偏置电流和输入补偿电压要求较高的应用而设计,适合工业、通信和医疗设备等领域。
放大器类型:LF353DR 为 J-FET 输入运算放大器,具有较低的输入偏置电流和优良的输入特性。这使其特别适合于高阻抗信号源的信号放大。
电路数:该器件包含两个独立的运算放大器,可以在许多应用中减少器件数量,降低系统复杂度。
压摆率:LF353DR 的压摆率为 13V/µs,能够处理快速变化的信号,这使得它在高速放大应用中表现出色。
增益带宽积:其增益带宽积达到 3 MHz,提供了良好的频率响应,能够在较宽的频率范围内保持稳定的增益,适合多种信号处理需求。
输入偏置电流:输入偏置电流低至 50pA,这极大地降低了输入信号的干扰,确保在低电平信号下也能实现高精度的处理。
输入补偿电压:具有 5mV 的输入补偿电压,进一步改善了线性度和准确度,使其适合于高精度测量和信号放大。
供电电流及电压:LF353DR 的供电电流为 3.6mA,支持单极性或双极性电源供电,电压范围为 ±3.5V 至 ±18V,灵活的供电选择适应了不同应用场景的需求。
工作温度:该产品的工作温度范围为 0°C 至 70°C,能够满足一般工业和商业环境下的应用。
封装类型:LF353DR 采用 8-SOIC 表面贴装封装,具有良好的散热性能和小巧的占用空间,便于在高度集成的电路设计中应用。
LF353DR 广泛应用于各种涉及信号处理的领域,主要包括:
LF353DR 作为一款高性能的 J-FET 输入运算放大器,凭借低输入偏置电流、高压摆率和增益带宽积的优异性能,成为各类信号处理应用的理想选择。其宽幅电源供电范围和工作温度范围,使得该产品在多种环境中均表现良好。无论是在音频设备、医疗仪器还是在各种传感器应用中,LF353DR 的高精度和可靠性都能够满足用户的需求。对于设计者而言,LF353DR 是实现高效能电路设计的得力助手。