IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 140mΩ @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRLL014NTRPBF手册
IRLL014NTRPBF概述
IRLL014NTRPBF 产品概述
概述
IRLL014NTRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各种电子应用而设计，具有可靠的性能和广泛的工作环境适应性。该器件的主要特点包括55V的最大漏源电压、2A的连续漏极电流以及140毫欧的低导通电阻，使其成为电源管理、开关电源以及驱动电路中的理想选择。
关键规格
- 漏源电压 (Vdss): 55V
- 连续漏极电流 (Id): 2A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 140mΩ @ 2A, 10V
- 最大功率耗散: 1W（在环境温度25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-223，符合表面贴装技术(SMT)要求
- 栅极电荷 (Qg): 14nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 230pF @ 25V
该器件的设计符合高频率应用的需求，具有出色的开关速度和低功耗特性。
应用场景
IRLL014NTRPBF广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 其低导通电阻和较高的耐压特性使其能够高效控制电流，提升开关电源的效率。
- 电机驱动: 用于直流电机驱动电路中，能够有效进行电机的启停和速度控制。
- LED驱动: 可用于LED照明应用，为LED提供稳定的工作电流，以保证光源的亮度和寿命。
- 电池管理系统: 能有效在电池充放电过程中提供优良的开关性能，增强系统的整体效率。
- 其他低压应用: 包括电源适配器、便携设备和消费电子产品的切换和放大应用。
特性分析
IRLL014NTRPBF的关键性能指标使其在市场中具备显著竞争力。首先，其高达55V的漏源电压提升了器件在电压变化大的环境中的稳定性。同时，2A的连续漏极电流确保它能够处理多种常见负载工作条件。制程先进的MOSFET特性使该器件具有极低的导通电阻(140毫欧)，这意味着在额定电流下，它的热损耗会显著减少，从而提升整体电路的能效。
栅源电压控制下，该MOSFET表现出较低的栅极电荷(14nC)，这使它在高频开关应用中能够实现更快的切换速度和更低的能耗。此外，其优异的工作温度范围 (-55°C ~ 150°C) 确保了在严苛的工业环境下的性能可靠性，能够满足汽车及工业自动化设备中对器件稳定性的高要求。
封装和安装
IRLL014NTRPBF采用SOT-223封装，这种封装类型不仅易于进行表面贴装，还能在紧凑的PCB设计中释放更多的空间。其小型化的特性与优良的散热能力使得该MOSFET对于多重应用场景都有良好的适应性，而其标准的封装形式也使得设计者可以方便地替换或升级电路设计。
总结
综上所述，IRLL014NTRPBF是一款高效可靠的N沟道MOSFET，适合广泛的电子应用需求。凭借其出色的电气特性、较低的功耗和极好的热稳定性，它为当今快速发展的电子市场提供了一个强有力的解决方案。无论是在开关电源、LED驱动还是电机控制等应用中，IRLL014NTRPBF都能够提供表现卓越、可靠性高的电源管理能力，为设计师与工程师在产品开发上赢得优势。