IRFS4610TRLPBF
IRFS4610TRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 73A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 44A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 190W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 73A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 44A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3550pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS4610TRLPBF手册
IRFS4610TRLPBF概述
产品概述：IRFS4610TRLPBF N沟道MOSFET
一、基本信息
IRFS4610TRLPBF 是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名半导体公司英飞凌（Infineon）生产。该型号具有高达100V的漏源电压（Vdss）、73A的连续漏极电流（Id）和190W的最大功率耗散，适合用于高压高电流的开关电源和功率管理应用。封装形式为TO-263-3（D2PAK），其表面贴装设计方便PCB布局，适合自动化生产。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：最大为100V，这使得IRFS4610TRLPBF能够处理多种中高压电路，适合于电源转换、马达驱动和其他工业应用。
连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，连续漏极电流可达73A，意味着该器件在大多数正常操作条件下能够有效传输电流。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：达到导通所需的最小栅源阈值电压为4V，这个值在设计时提供了灵活性，能够与多种控制电路兼容。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在44A电流及10V栅源电压下，导通电阻为14毫欧，低导通电阻有助于降低功耗和提升系统效率。
最大功率耗散：在25°C的环境条件下，器件能承受最大功率耗散达到190W，适应高负载下的工作需求。
输入电容（Ciss）：在50V的条件下，输入电容最大值为3550pF，为高频应用提供了良好的开关特性。
栅极电荷（Qg）：栅极电荷在10V栅源电压下的最大值为140nC，这意味着能以较快的速度实现开关操作，对高频应用尤为重要。
工作温度范围：-55°C至175°C的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定工作，符合严苛的工业应用。
三、应用领域
IRFS4610TRLPBF MOSFET适用于各类高效能电力转换设备，具体应用包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：广泛用于电源适配器、LED驱动和电池充电器。
- 马达驱动：适合用于直流电机和步进电机控制。
- 电力管理：在电池管理系统和能量收集系统中，IRFS4610TRLPBF能够提升效率并减少能量损耗。
- 高频开关电路：其较低的导通电阻和较高的开关速度使其在高频应用中具有良好的表现。
四、总结
IRFS4610TRLPBF是一款具备优异性能的N沟道MOSFET，凭借其较高的电流承载能力、导通电阻和耐温范围，在现代电子电路中体现了其广泛的应用潜力。无论是用于消费者电子产品，还是工业自动化领域，该MOSFET均能提供可靠的性能，满足设计工程师在电源管理和开关应用方面的严格要求。选择IRFS4610TRLPBF，您将获得一个高效、稳定且经济的解决方案。