IRFS3607TRLPBF
IRFS3607TRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 84nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3070pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS3607TRLPBF手册
IRFS3607TRLPBF概述
IRFS3607TRLPBF 产品概述
产品概述
IRFS3607TRLPBF 是一款高性能的N通道MOSFET，由全球知名的半导体制造商——英飞凌（Infineon）出品。该器件将现代MOSFET技术与优越的电气特性相结合，为高效能应用提供了强大支持。其关键参数包括额定漏源电压为75V，连续漏极电流可达80A，以及在25°C时的额定功率耗散达到140W。这些参数使得IRFS3607TRLPBF特别适用于高功率转换、开关电源、以及电机驱动等苛刻工作环境。
技术特性
高漏源电压和电流能力：IRFS3607TRLPBF的漏源电压（Vdss）为75V，可很好地满足多种电力转换和分配系统的需求。其最大连续漏极电流（Id）为80A，保证了在高负载条件下的稳定性和可靠性。
低导通电阻：该MOSFET在Vgs=10V及Id=46A时，最大导通电阻（Rds(on)）为9毫欧，这意味着在通电时产生的热量非常少，从而减少了功耗，提高了能效，同时减轻了散热设计的压力。
宽工作温度范围：IRFS3607TRLPBF的工作温度范围为 -55°C至175°C，从而使其在极端环境下也能稳定工作，这对工业级应用特别重要。
栅极驱动和输入电容特性：该器件在10V的门压下，其栅极电荷（Qg）最大值仅为84nC，这表明其能够以较低的驱动功率快速切换。同时，输入电容（Ciss）在50V下的最大值为3070pF，优化了高频性能，减少了开关延迟，适用于对响应时间有要求的应用。
高功率耗散能力：具有高达140W的功率耗散能力，使得IRFS3607TRLPBF非常适合高功率及高效率的场合，如DC-DC转换器、UPS、LED驱动电源等。
封装与安装
IRFS3607TRLPBF采用D2PAK封装，符合TO-263-3标准，这种表面贴装（SMD）设计使得在PCB的布局中更加灵活，能够有效降低焊接过程中的工艺难度，同时提升散热性能。D2PAK设计也保证了较大的表面接触面积，从而提高散热效率，适应高功率应用下的冷却要求。
应用领域
IRFS3607TRLPBF广泛应用于各种高功率电源管理和转换领域，具体包括：
- 开关电源（SMPS）：由于其高效率和快速响应时间，该MOSFET特别适合用于DC-DC转换等电源管理电路。
- 电机驱动：其高电流能力和低导通电阻使其成为高效电机控制和驱动的理想选择，广泛用于工业系统和家用电器。
- 电力管理：在UPS、太阳能逆变器等电源转换应用中，IRFS3607TRLPBF能够有效提升系统总体效率，减少能量损耗。
- 电池管理系统（BMS）：在电动汽车或储能系统中，该MOSFET可用于电池充放电管理，保障系统安全和稳定。
总结
综上所述，IRFS3607TRLPBF是一款具有卓越性能的N通道MOSFET，凭借其高电压和电流能力、低导通电阻、宽工作温度范围和良好的开关特性，成功满足了高端电力电子应用的需求。它的设计考虑到了现代电源管理系统对性能和可靠性的苛刻要求，是开发高效能电源解决方案过程中的理想选择。无论是在电子产品设计还是直接应用中，IRFS3607TRLPBF均展现出强大的应用潜力和高效的性能表现。