注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFP4668PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-247AC
包装 :
管装
重量 :
8.2g
描述 :
场效应管(MOSFET) 520W 200V 130A 1个N沟道 TO-247AC
库存 :
1050(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
11.35按整 :
管(1管有400个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.35
--
10+
￥9.45
--
400+
￥8.99
--
4000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFP4668PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.7 毫欧 @ 81A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 241nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10720pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4668PBF手册
无数据
IRFP4668PBF概述
IRFP4668PBF 产品概述
一、产品简介
IRFP4668PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物半导体技术，广泛应用于功率转换、开关电源、电机驱动和电源管理等领域。该器件具有较高的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），使其能够在极端的工作条件下保持稳定的性能。
二、关键特性
漏源电压（Vdss）: 200V
- IRFP4668PBF 设计旨在承受高达 200V 的电压，因此在高压应用环境中表现卓越。
电流容量: 130A（Tc）
- 即便在较高的工作温度下，该元器件依然能够承载高达 130A 的电流，确保设备在高负载条件下也能稳定运行。
导通电阻: 9.7毫欧 @ 81A,10V
- 在开启状态下，其导通电阻极低，有效减少了功率损耗，提高了系统的效率。
栅极-源极电压（Vgs.max）: ±30V
- 该 MOSFET 的栅极电压可以灵活设计，为驱动电路提供更广泛的适应性。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 适合于要求严苛的工业和汽车环境，提供更好的可靠性和稳定性，尤其适合高温和低温应用。
功率耗散: 最大 520W（Tc）
- 该器件能够处理较大的功率，适合用于功率级别较高的应用。
输入电容（Ciss）: 10720pF @ 50V
- 其较高的电容值在开关频率较高的应用中，能够确保有效的驱动性能。
栅极电荷（Qg）: 241nC @ 10V
- 低栅极电荷使得开关速度提升，适合用于高频开关场合，增强了整体的效率表现。
封装类型: TO-247AC
- 采用 TO-247AC 封装提供良好的散热性能，适合高功率应用。
三、应用领域
IRFP4668PBF 的应用非常广泛，特别是在以下领域中表现出色：
开关电源: 由于其高效率和高电压性能，该 MOSFET 是开关电源设计的理想选择。
电机驱动: 能够处理高电流的特性使其非常适合用于各种电机驱动系统，能够支持不同类型的直流和交流电机。
电源管理: 在大功率电源管理系统中，IRFP4668PBF 提供了高效率和高稳定性，确保电源的可靠工作。
汽车电子: 由于其高工作温度范围，该器件特别适合于汽车电子应用，比如电动机驱动、逆变器和电源分配系统。
四、总结
IRFP4668PBF 是一款技术先进的 N 通道 MOSFET，具备高电压、高电流和低导通电阻的特性，使其在各类高功率应用中表现出色。无论是在开关电源、电机驱动还是电源管理等领域，该产品均展现了优异的性能和可靠性。随着科技的不断进步，IRFP4668PBF 必将在更多先进的电子产品中发挥重要作用。其高效率及良好的散热性能，也使得设计师能在设计中更为灵活，为最终用户提供更加稳定和高效的电子解决方案。