漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 11A |
栅源极阈值电压 | 2.4V @ 25uA | 漏源导通电阻 | 10mΩ @ 11A,20V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.8W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Ta),24A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V,20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 11A,20V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 48nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1543pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 2.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PQFN(3x3) | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
IRFHM9331TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司制造的一款高性能 P 通道 MOSFET,其在功率电子领域得到广泛应用。此款 MOSFET 具有卓越的电气性能,并适用于多种导电和开关应用,特别是在需要高效率和高可靠性的电源管理系统中表现出色。以下是 IRFHM9331TRPBF 的详细产品概述。
IRFHM9331TRPBF 采用 PQFN (3x3) 封装,具有小型化和低热阻的优势,适合表面贴装技术。这种封装设计使得热管理更加高效,有助于在紧凑的电路板设计中节省空间并提高散热性能。
该 MOSFET 具有低导通电阻(10mΩ),在高电流下的性能回馈使其在电源转换和电机驱动控制应用中表现优越。其在 11A 的情况下依然能够保持低于 10mΩ 的导通电阻,这对于减少能量损耗和提高系统效率至关重要。
IRFHM9331TRPBF 适合广泛的应用场景,包括但不限于:
凭借其广泛的工作温度范围(-55°C 到 150°C),IRFHM9331TRPBF 致力于满足苛刻环境条件下的应用要求。此外,优良的热管理和低能耗使其成为对空间和功耗敏感项目的理想选择。这些特性使得 IRFHM9331TRPBF 成为电子设计师和工程师在选择 P 通道 MOSFET 时的首选产品之一。
IRFHM9331TRPBF 是一款集合了高性能、低能耗和高可靠性的 P 通道 MOSFET,适合各种需要高效电气控制的应用。无论是在工业自动化、消费电子还是车载设备中,它都能提供优异的电气特性和出色的耐久性,为客户带来更高的设计灵活性和更好的产品性能。通过选择 IRFHM9331TRPBF,用户可以期待在不断变化的市场需求中,保持在性能和功效上的竞争力。