漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 24A |
栅源极阈值电压 | 2.35V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 3.3mΩ @ 25A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3.4W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A(Ta),104A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.3 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4270pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 3.4W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
IRFH7932TRPBF 是一款来自英飞凌(Infineon)公司的高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),专为各种功率应用设计。这款MOSFET采用先进的半导体技术,具备优异的电气特性和良好的热性能,适用于直流-直流转换器、电机驱动、电源管理和开关电源等领域。
IRFH7932TRPBF MOSFET广泛应用于以下几个方面:
作为一款来自英飞凌的MOSFET,IRFH7932TRPBF凭借其卓越的品质和可靠性,成为众多设计工程师的首选。英飞凌作为全球领先的半导体解决方案提供商,其产品不仅在效率和性能上表现优异,而且在后续服务和支持方面也为客户提供了强大的保障。此产品的高热散能力和宽工作温度范围使其在工业和汽车应用中表现尤其突出。
总之,IRFH7932TRPBF 是一款先进的N沟道MOSFET,具备高效、低损耗的特点,非常适合各类高性能功率应用。无论是在电源管理、开关电源,还是电机驱动领域,IRFH7932TRPBF 都能为系统的稳定和高效运行提供强有力的支持和保障。