IRFD120PBF
IRFD120PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.3A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 270mΩ @ 780mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 780mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP | 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
IRFD120PBF手册
IRFD120PBF概述
IRFD120PBF 产品概述
IRFD120PBF 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专门设计用于高电压和中等电流应用。这款 MOSFET 的独特设计和优异的电气特性使其成为各种电子电路中不可或缺的关键元件。其主要参数和特点包括漏源电压（Vdss）高达 100 V，连续漏极电流（Id）在 25°C 下达到 1.3 A，以及在一定条件下的低导通电阻（Rds(on)）特性，这使其在功率转换，开关电源以及其他高效能应用中表现出色。
主要规格
漏源电压（Vdss）: IRFD120PBF 的漏源电压高达 100 V，使其能够处理高压应力，是设计高电压电路时的理想选择。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，IRFD120PBF 能够承受 1.3 A 的连续漏极电流，适合一般的驱动负载要求。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源阈值电压为 4 V @ 250 µA，意味着在 4 V 的驱动电压下 MOSFET 将开始变为导通状态，适合逻辑电平控制的应用。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10 V、780 mA 条件下，最大导通电阻为 270 mΩ，低导通电阻有助于减小功耗，提高整体效率。
输入电容 (Ciss): 在 25 V 的电压下，其输入电容为 360 pF，这使得其在高频控制电路中能够快速响应。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 16 nC @ 10 V，这对降低驱动功耗至关重要，帮助实现高效的开关操作。
功率耗散: 在 25°C 的环境下，IRFD120PBF 的最大功率耗散为 1.3 W，适用于中等功率应用。
工作温度范围: 此器件具备极宽的工作温度范围，从 -55°C 到 175°C，确保其适用于各种严苛的工作环境。
封装形式: IRFD120PBF 采用了 4-DIP（0.300”，7.62mm）封装，便于通孔安装，适合多种 PCB 设计要求。
应用场景
IRFD120PBF 由于其优异的电气特性，广泛应用于直流到直流转换器，电机驱动，电源管理，自动化设备以及其他需要高效能功率开关的领域。此外，它也适用于用于高频开关和高压应用的消费电子产品及工业应用。
性能优势
高可靠性: VISHAY 作为全球知名的半导体元件制造商，IRFD120PBF 的设计和材料经过精心挑选，确保其稳定性和长期可靠性。
绿色环保: IRFD120PBF 符合 RoHS 规范，用户在使用时不必担心对环境造成影响。
简易集成: 该 MOSFET 的标准封装使其容易与其他电子元件集成，助力迅速开发各种新兴产品。
优化性能: 由于其低导通电阻和快速开关特性，IRFD120PBF 能够显著提高功率转换效率，为现代电源管理提供理想解决方案。
总结来说，IRFD120PBF 是一款性能优越且多功能的 N 沟道 MOSFET，适用于各种高要求的电气和电子应用。这款 MOSFET 不仅在电气性能上表现出色，而且具有优异的可靠性与长期稳定性，为设计工程师提供了一个极具价值的选择。无论是在开关电源，还是在电机驱动等领域，IRFD120PBF 都表现出了良好的适用性和性能优势。