FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1200pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 100W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4020PBF 是由知名半导体公司英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该产品主要设计用于需要高效率和较高电压的功率转换应用,特别适合用于开关电源、逆变器、电机驱动及其他要求严格的电源管理系统。其卓越的电气特性和可靠的工作性能,使其成为众多行业中广泛使用的选择之一。
电气性能
阈值电压 (Vgs(th))
栅极电荷 (Qg)
工作温度范围
输入电容 (Ciss)
封装特点
IRFB4020PBF 可广泛应用于以下领域:
在同类产品中,IRFB4020PBF 的高效率和良好的热管理能力使其具有明显的竞争优势。较低的导通电阻和快速的开关特性可显著提高系统的整体性能,同时减少能耗。此外,广泛的工作温度范围和超高的可靠性使其在严苛环境下依然具备良好的稳定性,从而为各类应用提供了强有力的支持。
IRFB4020PBF代表了现代MOSFET技术的高标准,凭借其卓越的性能和灵活的应用范围,成为了各类功率电子应用的理想选择。无论是在电源转换、工业设备还是汽车电子等领域,其都能提供出色的电气特性和可靠性,是追求效率及高性能设计的重要组成部分。