IRFB33N15DPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.8W 150V 33A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
7.56按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.56
--
100+
￥6.41
--
1000+
￥6.1
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB33N15DPBF参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 56 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2020pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），170W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
IRFB33N15DPBF手册
IRFB33N15DPBF概述
IRFB33N15DPBF 产品概述
概述
IRFB33N15DPBF是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装，专为各类高电压和高电流应用设计。其关键规格包括漏源电压（Vdss）150V，连续漏极电流（Id）33A，以及广泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。该器件适合用于电源管理、马达驱动、焊接电源、DC-DC转换器以及各类需要高效开关的应用场合。
基本参数
- 封装类型: TO-220-3
- FET类型: N沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 150V
- 栅源电压 (Vgss): ±30V
- 安装类型: 通孔 (THT)
- 连续漏极电流 (Id): 33A @ 25°C（注：此参数依赖于散热条件，需考虑额外散热装置）
- 功率耗散 (最大值): 3.8W（环境温度下），170W（晶体管结温下，Tc）
- 导通电阻（Rds(on)）: 56 mΩ @ 20A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 5.5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 90nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 2020pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
功能特性
高效能: IRFB33N15DPBF具有较低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中能够显著降低热损耗，提高能效。在20A的操作条件下，其导通电阻为56毫欧，从而减少额外热管理需求。
高耐压性: 该MOSFET具备150V的漏源电压能力，能够满足高电压应用需求，使其成为多种电源和驱动电路设计的理想选择。
宽工作温度范围: 从-55°C至175°C的工作温度范围使得IRFB33N15DPBF能够在严苛环境下稳定运行，适合军事和航空航天等对温度极为敏感的应用场景。
优良的开关性能: 高输入电容（Ciss）和相对较低的栅极电荷（Qg），使该器件在开关频率较高时依然能够保持优良的开关特性，适合高频应用。
应用领域
IRFB33N15DPBF广泛应用于以下领域：
- 电源转换器: 在DC-DC转换器和AC-DC电源中作为开关元件，确保高效的能量转换。
- 马达驱动: 在工业马达控制中，可以有效提高效率和降低功耗。
- 电动工具: 提供强大的电流驱动能力，适应电动工具立即起动和负载变化的需要。
- 储能系统: 在太阳能逆变器或储能系统中，提供高效的电流控制和管理。
结论
总之，IRFB33N15DPBF作为一款高效能、高电压和高电流的N沟道MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，为各类电子设备和系统提供了强有力的支持。尤其适用于需要高开关频率和高效能的电源管理及马达驱动应用，为设计工程师们提供了一个理想的解决方案。其优异的性能和可靠性使其在现代电子设计中占据了一席之地。