IRF9620PBF
IRF9620PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 40W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF9620PBF手册
IRF9620PBF概述
IRF9620PBF 产品概述
基本信息
IRF9620PBF 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的高性能 P 型 MOSFET，采用 TO-220-3 封装，专为高电压和中等电流应用设计。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为 200V，连续漏极电流（Id）为 3.5A（在 25°C 工作时），最大功率耗散能力为 40W。该器件具备良好的低导通电阻和高开关速度，非常适合功率转换和控制电路。
电气特性
IRF9620PBF 的漏源电压（Vdss）达到 200V，使得该器件在高压系统中表现出色，能够有效处理电力电子设备中出现的较高电压。此外，其在 25°C 的连续漏极电流（Id）为 3.5A，使其在多种应用场合下维持稳定的工作效率。其电流能力在实际使用中，可以通过适当的散热措施使得更高的 Tc 得以达到，从而增强功率处理能力。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 4V @ 250µA，这意味着器件在较低的栅源电压下即可达到开启状态，提升了其控制的灵敏度。其最大栅极驱动电压为 ±20V，进一步增强了器件在驱动电路中的兼容性，适应多样化的控制需求。
导通电阻与功耗
IRF9620PBF 在导通状态下的漏源导通电阻（Rds(on)）为 1.5Ω @ 1.5A，10V，表明它在承载电流时具有较低的功率损耗。具体来说，低导通电阻有助于降低在高负载条件下的热量生成，从而提高系统的整体效率。最大功率耗散能力为 40W（在 Tc=25°C 时），适合在功率高及散热条件良好的环境中使用。
动态特性
在动态特性方面，主要考虑的是栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）。IRF9620PBF 的栅极电荷为 22nC @ 10V，输入电容为 350pF @ 25V。较低的栅极电荷意味着其开关速度相对较快，适合高频率的开关操作。而输入电容的适度值则使得该器件在高频应用中保持良好的响应特性。
工作温度与可靠性
IRF9620PBF 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，这使得其适用于极端环境条件下的应用。这样的宽温度范围尤其适合航空航天、工业控制及汽车应用，确保其在各种工作温度下均能稳定工作。
封装与安装
IRF9620PBF 采用 TO-220-3 封装，这种封装类型常被用于需要较高功率散热的应用，具备良好的散热性能。通孔安装设计使其在散热和电气连接方面都具有很大的灵活性，能够适应多种安装方式。
应用领域
由于其出色的电气特性，IRF9620PBF 被广泛应用于电源转换器、马达驱动器、类比电路、DC-DC 转换器和负载开关等多个领域。特别是在需要高效控制高电压和大电流的场合，该器件表现出更好的可靠性和效率。
总结
总的来说，IRF9620PBF 是一款性能优良的 P 型 MOSFET，非常适合用于各种高电压和中等电流的应用场景。凭借其低导通电阻、高功率耗散能力和良好的动态特性，IRF9620PBF 为设计师和工程师们提供了一个可靠且高效的解决方案，能够在不同的工业和消费电子环境中发挥重要的作用。其宽广的工作温度范围和良好的封装设计，更加提升了其在严酷环境中使用的适应性。