注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF7493TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.286g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 80V 9.3A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
88(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.35按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.35
--
100+
￥3.63
--
1000+
￥3.36
--
2000+
￥3.2
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4000+
￥3.04
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7493TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 53nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1510pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7493TRPBF手册
无数据
IRF7493TRPBF概述
IRF7493TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能 N 沟道 MOSFET，广泛应用于各类电源管理、电机驱动和开关电源等领域。这款场效应管的设计旨在提供优异的效率和可靠性，特别适合需要高电压和大电流处理的应用。以下是 IRF7493TRPBF 的详细产品概述。
主要参数
IRF7493TRPBF 的基本参数包括：
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vds）: 80V，适合利用这一电压范围的多种应用
- 连续漏极电流（Id）: 9.3A (在 25°C 的情况下，通用的工作环境)
- 驱动电压: 在 10V 的条件下，表现出最小的导通电阻 Rds(on)
- 导通电阻 Rds(on): 在 Id 为 5.6A 时，最大值为 15mΩ，表明其在开关过程中可以实现低损耗
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 4V （@ 250µA），适合低压驱动电路
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 53nC（@10V），影响开关频率和驱动需求
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 1510pF（@ 25V），指标显示在高频应用中的表现
- 功率耗散: 2.5W（在 Tc 温度下运行时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适合各种环境条件，确保在严苛条件下也能正常工作
安装及封装
IRF7493TRPBF 是表面贴装类型（SMD），采用 8-SOIC 封装，尺寸为 0.154" x 3.90mm，便于集成到较小尺寸的电路板上。其封装设计在确保电气性能的同时，也有利于优化散热，提高工作效率。
应用场景
这款 MOSFET 适用于多种应用场景，包括：
- 开关电源: IRF7493TRPBF 可以用于DC-DC转换器，提高能量转换效率。
- 电机驱动: 在现代电动机控制系统中，可以实现有效的电流调控，提升电机性能。
- 高频开关应用: 由于其低 Rds(on) 和快栅极电荷特性，适合高清晰度信号处理和信号放大。
- LED 驱动: 在LED灯的驱动电路中，能够实现更好的电流控制，延长LED的使用寿命。
可靠性与耐用性
IRF7493TRPBF 的设计考虑到高温和极端环境的运行条件，其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，能够满足汽车电子、工业控制和消费电子的高可靠性要求. 此外，该产品还符合 RoHS 标准，确保在使用过程中的环保和安全性。
总结
总之，IRF7493TRPBF 作为一款性能优异的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电流处理能力、低导通电阻和广泛的应用范围，为电子工程师提供了一个理想的解决方案。在选择组件时，其出色的电气特性和适应性，使得 IRF7493TRPBF 成为多种高效能应用的优选元件。无论是在电源管理、电机控制还是 LED 驱动方面，IRF7493TRPBF 都能提供出色的表现，确保设计的成功和系统的可靠性。