FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A,4.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 660pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7307TRPBF 是英飞凌(Infineon)推出的一款具有优异电性能和可靠性的场效应管(MOSFET)器件,特别适用于各类开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。该器件采用先进的半导体材料和封装技术,能够在高电流和高频率下稳定工作,提供良好的导通特性,满足多种工业及消费电子产品设计的需求。
IRF7307TRPBF 采用表面贴装型封装(SO-8),其尺寸为 0.154"(3.90mm 宽)。这种紧凑的封装设计不仅节省了电路板空间,还使得该器件更加适合自动化生产和高密度布局的现代电子产品。
IRF7307TRPBF 的设计充分体现了高性能 MOSFET 的优势。其低导通电阻有效降低了能量损失,且高电流承受能力使其能在较高负载条件下稳定运行。此外,宽广的工作温度范围意味着该器件在多种应用环境中均能正常工作,大大提升了产品的可靠性和适用性。
综上所述,IRF7307TRPBF 是一款多功能、高效率且热稳定的MOSFET,相信将为各行业的设计工程师提供灵活的解决方案。在选择电子元器件时,IRF7307TRPBF 的各种特性无疑将为设计提供强有力的支持,并促进更先进、高效的产品开发。