IRF7240TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.286g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 10.5A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
4573(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.85按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.85
--
100+
￥4.03
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1000+
￥3.74
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2000+
￥3.56
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4000+
￥3.39
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24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7240TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10.5A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15mΩ @ 10.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9250pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7240TRPBF手册
IRF7240TRPBF概述
产品概述：IRF7240TRPBF P沟道MOSFET
基本信息
IRF7240TRPBF 是一款高性能的 P沟道MOSFET，广泛应用于开关电源、直流电机驱动以及其他高效率功率管理应用中。该器件由领先的半导体制造商英飞凌（Infineon）提供，具有可靠的性能和优良的热管理能力，适合多种工业和消费电子应用。
参数特征
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）: 40V，这意味着在最大工作电压下，器件能有效工作，适合常见的电源电压需求。
- 连续漏极电流（Id）: 10.5A（在25°C环境温度下），表明该MOSFET在高负载电流情况下的良好表现，适合大功率应用。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA，显示该器件在较低的栅压下即可高效开启，适合低电压驱动电路。
导通电阻（Rds(on)）:
- 在10.5A和10V的条件下，其漏源导通电阻为15mΩ。这一低导通电阻确保了在开关操作期间的能量损失最小化，使得IRF7240TRPBF能在高效能和发热控制方面表现出色。
功率耗散:
- 最大功率耗散为2.5W（在25°C环境下），提供了良好的散热性能，有止于元器件在高负载下表现稳定，延长使用寿命。
驱动电压:
- 此器件的驱动电压范围为4.5V到10V。即使在相对较低的驱动电压下，依然保证了器件的良好导通特性，适应不同驱动电路的需求。
工作温度范围:
- IRF7240TRPBF 的工作温度范围是 -55°C 到 150°C，证明其适用于极端环境，同时可以满足工业、汽车等领域的应用需求。
封装与安装:
- 本器件采用表面贴装型封装（SO-8），尺寸小巧，有助于减小电路板面积，适合高密度封装应用。
应用场景
由于其可靠的电气特性和宽广的工作温度范围，IRF7240TRPBF 被广泛应用于：
- 开关电源：作为开关元件，提升电源转换效率。
- 电机驱动：用于控制直流电机，提供较高的电流承载能力和较低的热损耗。
- 电源管理电路: 在高效的功率预算设计中使用，如DC-DC转换器、稳压电源等。
- 自动化控制系统：在机器人和工业自动化设备中，提供可靠的高电流开关。
总结
IRF7240TRPBF 以其优越的电气特性和高可靠性，成为了现代电子设计中不可或缺的元件。其出色的性能确保了在复杂和要求苛刻的环境中仍能稳定工作，是高效能电子产品的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，IRF7240TRPBF 都能够为设计师提供信心，推动创新与性能的提升。