驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 3.3V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 6V,9.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,17ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | 供应商器件封装 | 16-SOIC |
IR2113STRPBF 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能栅极驱动器,广泛用于各种高压和高频开关电源应用。这款产品采用了一种半桥驱动配置,能够独立驱动N沟道MOSFET以及IGBT(绝缘栅双极型晶体管),通过其先进的电路设计,实现了对栅极的高效控制与驱动。
驱动配置: IR2113STRPBF采用半桥驱动架构,能够简化电路设计,并有效提高系统的效率。
通道类型: 该芯片设计为独立式通道,使得每个驱动通道的控制更加灵活和可靠。
驱动器数: 该产品集成了两路驱动器,能够同时控制两个高侧或低侧的功率开关器件,适用于多通道的应用需求。
栅极类型: IR2113STRPBF支持N沟道MOSFET和IGBT,能适应多种类型的功率器件,有助于设计的灵活性。
电压供电: 其额定供电电压范围为3.3V至20V,适应多种工作环境,为电路设计者提供更大的电源选择空间。
逻辑电压: 逻辑电压范围为VIL低于6V,VIH高于9.5V,能够确保在不同的控制信号下保持稳定运行。
电流输出: 峰值输出电流达2A,这意味着IR2113STRPBF能够驱动大多数功率MOSFET和IGBT,确保其快速开启和关闭。
高压侧电压: 该器件支持最大自举电压600V,适合于高压应用,如电动机驱动及逆变器等。
**上升/下降时间:**典型的上升时间为25ns,下降时间为17ns,这种快速转换特性有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率。
**工作温度范围:**产品能够在-40°C至150°C的宽温度范围内工作,适合严苛环境下的应用。
封装及安装: IR2113STRPBF采用16-SOIC封装,适合表面贴装(SMT),与现代自动化生产线兼容。
IR2113STRPBF因其特性和优势,广泛应用于以下领域:
IR2113STRPBF凭借其卓越的性能和良好的适用性,成为现代电力电子设计中不可或缺的重要组件。它不仅支持高压操作,而且具备快速切换的优点,为各种电源和驱动应用提供了高效的解决方案。因此,对于设计工程师而言,IR2113STRPBF是一款值得推荐的高性能栅极驱动器。