驱动配置 | 高压侧或低压侧 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.7V,2.2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1A,1A | 输入类型 | 反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 200V | 上升/下降时间(典型值) | 35ns,20ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IR2011STRPBF 是一款高性能的栅极驱动器,专为满足多种高压和低压应用而设计。采用高压侧或低压侧驱动配置,IR2011STRPBF 提供了灵活的工作方式,以适应不同的电路需求。其支持的高达200V的自举电压使其在高压电源转换和驱动电机控制等应用中表现优异。此款驱动器由英飞凌(Infineon)制造,封装为SOIC-8,便于表面贴装,适合高密度布局。
IR2011STRPBF 具有两路独立通道,各通道均采用N沟道MOSFET的栅极驱动设计,能够有效控制大功率MOSFET的开关行为。其电压供电范围为10V至20V,确保在多种应用场合下均能提供稳定的工作电压。逻辑电压的输入要求为VIL 0.7V和VIH 2.2V,设计上充分考虑了与微控制器或数字信号处理器的兼容性,易于实现逻辑兼容。
该驱动器的峰值输出电流为1A(灌入与拉出均为1A),使其能够迅速驱动高门槛电流的MOSFET,提高开关速度。此外,IR2011STRPBF 的上升时间和下降时间分别为35ns和20ns,这在某些对开关频率要求极高的应用中,显得尤为重要。
IR2011STRPBF 的工作温度范围从-40°C至150°C,确保其在严酷环境下仍能可靠工作。该设计考虑到了高温应用场合及复杂的工作条件,如汽车电子、工业控制及其他高温应用的环境因素,提高了产品的可靠性。
IR2011STRPBF 的应用领域非常广泛。它适用于电源转换器、逆变器、电子驱动系统以及工控设备等多种高压或低压驱动场合。特别是在电动机驱动应用中,IR2011STRPBF 可以用来驱动多相电动机、无刷直流电机(BLDC),甚至在音频放大器中的功率管理方面也能够发挥重要作用。
正因如此,这款驱动器成为了现代电源管理和驱动设计中的重要组成部分,广泛应用在家用电器、机器人、汽车动力传动以及消费电子产品中。
IR2011STRPBF 采用的SOIC-8封装,提供了优良的散热性能和紧凑的布局设计能力。表面贴装型的安装方式,使得其在高密度电路板布局中,能够更为灵活地应用。这对于追求高效能、高集成度的现代电路设计尤其重要。
IR2011STRPBF 是一款优秀的栅极驱动器,为设计工程师提供了一款高效、可靠的解决方案,适用于多种电压和功率要求的应用场景。无论是在汽车、工控还是消费电子产品中,IR2011STRPBF 都能够凭借其卓越的性能和高可靠性,助力于产品的最终成功。