功率(Pd) | 417W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 330pF@100V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,26A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 270nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 900V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 6.8nF@100V | 连续漏极电流(Id) | 36A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@2.9mA |
IPW90R120C3是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能场效应管(MOSFET),采用PG-TO247-3封装。该MOSFET以其优异的电气性能和可靠性广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源、逆变器和电动机驱动器等。
电流和电压规格: IPW90R120C3的最大持续漏电流(I_D)可达到90A,允许的最大漏极至源极电压(V_DS)为120V,意味着该MOSFET能够在较高电压下稳定运行。
导通电阻: 其低导通电阻(R_DS(on))特性,使其在导通状态下的功耗降至最低,增强了器件的效率。有效地减少了散热需求,使设计更为紧凑。
开关速度: 该MOSFET具备出色的开关特性,适用于高频率的应用,尤其是在开关电源和驱动电路中。适合需要快速开关和高效能的场合。
热特性: 由于PG-TO247-3封装设计,IPW90R120C3能够高效散热,降低工作时的温度上升,提升了产品的可靠性和寿命。
高耐压和快恢复特性: 该MOSFET表现出优良的耐压特性,即使在负载突变或环境变化的情况下,仍然能够保持良好的性能。快速恢复特性使其在多种拓扑结构中都能有效解决反向恢复问题,降低开关损耗。
IPW90R120C3广泛应用于各类电子产品和系统中,其主要应用场景包括但不限于:
开关电源: 在升压、降压和反压等开关电源设计中,IPW90R120C3的低导通电阻和高开关速度非常适合用作主要的开关器件,提高系统效率。
逆变器: 该MOSFET能够支持太阳能逆变器和电动车逆变器等设备,确保在高压和高电流条件下的稳定性。
电动机驱动: 在电动机驱动器应用中,IPW90R120C3提供可靠的开关特性和高电流承受能力,实现高效的电机控制。
LED驱动: 由于其低开关损耗,IPW90R120C3也适用于LED驱动电路,提高光源的驱动效率和寿命。
工业自动化: 在工业控制系统中,利用此MOSFET的高功率和低损耗特性可以实现更为精确和高效的控制。
综上所述,IPW90R120C3 MOSFET以其卓越的性能、可靠性以及广泛的应用领域,在现代电力电子设备中扮演着重要角色。无论是开关电源、逆变器还是电动机驱动系统,该元器件都能提供良好的支持,帮助设计工程师实现更高效率和更低功耗的目标。英飞凌凭借其领先的技术和严格的质量标准,为客户提供了一个值得信赖的解决方案,使其在未来的电子应用中继续发挥重要作用。