IPP075N15N3GXKSA1
IPP075N15N3GXKSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5470pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IPP075N15N3GXKSA1手册
IPP075N15N3GXKSA1概述
产品概述：IPP075N15N3GXKSA1 MOSFET
IPP075N15N3GXKSA1 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该产品专为高电压和高电流应用设计，适用于需要高功率和高效率的电子电路。
关键特性
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）：150V
- 连续漏极电流（Id）：100A（@25°C）
- 最大 Rds(on)：7.5 毫欧（@100A, 10V）
- 栅极驱动电压：建议最小驱动电压为8V，最大为10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值 4V (@ 270µA)
- 栅极电荷（Qg）：最大 93nC (@10V)
- 输入电容（Ciss）：5470pF (@ 75V)
- 功率耗散能力：300W
- 工作温度范围：-55°C 到 175°C
- 封装类型：TO-220-3
应用领域
IPP075N15N3GXKSA1 MOSFET 特别适用于以下领域：
电源转换：用于开关电源、DC-DC 转换器，因其高效能和低导通电阻特性，可以极大提高整体功率转换效率。
电动机驱动：在电机控制系统中，作为开关元件能够实现对电动机的高效控制，支持高电流和快速开关操作。
汽车电子：该 MOSFET 可用于汽车电源管理系统，满足汽车恶劣环境下的高可靠性要求。
工业设备：用于各种工业自动化设备中，因其高功率能力和良好的温度稳定性，适合长时间工作的设备。
可再生能源：例如太阳能逆变器等应用，能处理高电压及电流，支持高效的能源转换。
性能优势
低导通电阻：7.5 毫欧的低 Rds(on) 值，意味着在高电流工作情况下能量损耗极低，从而提高整体系统的效率。
高功率耗散：最大功率耗散300W，确保了在高负载下器件的出色表现，适用于大功率应用场景。
广泛的工作温度：-55°C 到 175°C 的工作温度范围，使其在极端环境下也能够可靠工作，适合高温、高湿等环境。
灵活的驱动电压：支持±20V的栅极驱动电压，使得设计变得更为灵活，适配多种电源设计需求。
封装与安装
IPP075N15N3GXKSA1 采用 TO-220-3 封装，具备较好的散热特性，适合通孔安装。这种封装设计不仅便于自动化生产，同时也方便在高功率应用中实现有效散热，防止过热引发的性能下降。
总结
IPP075N15N3GXKSA1 MOSFET 是市场上性能卓越的电子元器件之一，适合多种高级应用。其低导通电阻、高电流及高功率能力，使其在电源管理、电机驱动和可再生能源领域均发挥出色。在极端的工作条件下，其可靠性和运行稳定性使其成为需要严苛环境适应性的理想选择。因此，对于设计工程师而言，选择 IPP075N15N3GXKSA1 作为关键元器件，能够显著提升设备的整体表现和可靠性。