IPD50N04S4L-08 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPD50N04S4L-08

商品编码: BM0000285914
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO252-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) IPD50N04S4L-08 TO-252-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.38
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.38
--
100+
¥2.81
--
1250+
¥2.57
--
2500+
¥2.37
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

IPD50N04S4L-08参数

功率(Pd)46W反向传输电容(Crss@Vds)35pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.3mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V
漏源电压(Vdss)40V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.34nF@25V连续漏极电流(Id)50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@17uA

IPD50N04S4L-08手册

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IPD50N04S4L-08概述

IPD50N04S4L-08 产品概述

一、基本信息

IPD50N04S4L-08 是由全球知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产的一款场效应管(MOSFET)。它采用了 TO-252 封装(也称为 PG-TO252-3),这是一个常用于散热性能优化的中型封装形式,适合在多个应用环境中使用。本款 MOSFET 特别适用于各种高效能功率管理系统,尤其是在开关电源、电机驱动和高频率切换场合下表现优异。

二、主要特性

  1. 高当前承载能力: IPD50N04S4L-08 的最大漏极电流(Id)可达到 50A,这使得它在高功率应用中表现出色,能够承受大电流负载的需求。

  2. 低导通电阻: 该 MOSFET 的典型导通电阻(Rds(on))非常低,通常约为 4 mΩ,使其在导通状态下的功耗降到最低,从而提高整体系统效率。

  3. 高耐压: IPD50N04S4L-08 的最大漏源电压(Vds)为 40V,适合在相对较高电压环境下工作。这一特性使得它在汽车、工业电源、以及消费电子等领域得到了广泛应用。

  4. 优良的开关特性: 该 MOSFET 的开关速度较快,能够在高频应用中提供更好的性能,特别是在需要频繁开启和关闭的场合。迅速的开关特性减少了开关损耗,提高了系统效率。

  5. 热管理能力: TO-252 封装设计可有效助力热散发,降低工作温度,从而提高器件的可靠性和使用寿命。这对于高电流工作状态下的部件尤为重要。

三、应用场景

IPD50N04S4L-08 的特性使其适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS): 在电源转换器中,这款 MOSFET 常被用作主开关元件,能有效地提高转换效率,减少能耗。

  2. 电机驱动控制: 在电动机驱动系统中,IPD50N04S4L-08 能够提供高效的开关控制,改善电机性能,提升响应速度。

  3. 电池管理系统: 在电动汽车和储能装置中,通过此 MOSFET 开关可使电池充放电实现更高效的管理,确保系统稳定运行。

  4. LED驱动电源: 由于其高效的开关特性,IPD50N04S4L-08 适合用于LED驱动电源中,为LED提供稳定、高效的供电。

  5. 消费电子产品: 在各种电子产品(如电视、电脑等)电源管理中,能够提高产品的稳定性和可靠性。

四、总结

IPD50N04S4L-08 是一款高性能的 MOSFET 器件,凭借其优异的导通电阻、高电流承载能力和快速的开关特性,无疑可以为现代电力电子解决方案提供理想的选择。无论是在工业自动化、消费电子还是新能源汽车等广泛领域,其出色的性能都能带来更高的系统效率和可靠性。英飞凌凭借其在半导体领域的深厚技术积累,使得这一产品在市场上具有强竞争力,值得企业在设计和选择电源管理元件时给予充分考虑。