额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 3A |
集射极击穿电压Vce | 25V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 300mA,3A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 160MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT749TA 是一款高性能 PNP 型晶体管,专为需要高功率和良好频率特性的应用而设计。该元器件主要用于放大和开关电路,能够在多种环境条件下稳定运行。其封装类型为 SOT-223,便于表面贴装,适合于现代电子产品的紧凑设计。
FZT749TA 的设计使其在高电流和高频率环境中表现优异。其 2W 的额定功率保证了该晶体管能在较高负载下稳定工作,而 3A 的集电极电流能力使其在很多要求高输出电流的应用中具备良好的适用性。额定的 25V 集射极击穿电压保证了其在恶劣环境下的可靠运行,从而提高了整体电路的稳定性。
对于频率响应,FZT749TA 的 160MHz 跃迁频率确保了其能够在快速开关应用中高效运作,满足现代数字电路对速度的要求。同时,低达 100nA 的截止电流也显示了其低功耗特性,适合需要功耗管理的设计。
在饱和压降方面,600mV 的 Vce 饱和压降表现使得其在工作过程中能有效降低功率损耗,适应于各种高频和大电流的应用场景。这种低压降的特性在电源开关、信号放大等应用中尤为重要。
FZT749TA 适用于多种电子设备和电路,特别是在以下应用中表现突出:
FZT749TA 是一款经济实用的 PNP 型三极管,结合其杰出的电气特性和适应广泛的工作环境,使其在很多电子设备中都可以发挥重要作用。无论在高性能音频设备, RF 通信,还是电源管理应用上,FZT749TA 均展现出优越的性能和可靠性。因此,对需要高电流和高频率特性的用户来说,FZT749TA 无疑是一个极具吸引力的选择。