FZT749TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT749TA

商品编码: BM0000285864
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 25V 3A PNP SOT-223-3
库存 :
2529(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.95
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.95
--
50+
¥1.5
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT749TA参数

额定功率2W集电极电流Ic3A
集射极击穿电压Vce25V晶体管类型PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A电压 - 集射极击穿(最大值)25V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,2V功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁160MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

FZT749TA手册

FZT749TA概述

产品概述:FZT749TA PNP 三极管

概述

FZT749TA 是一款高性能 PNP 型晶体管,专为需要高功率和良好频率特性的应用而设计。该元器件主要用于放大和开关电路,能够在多种环境条件下稳定运行。其封装类型为 SOT-223,便于表面贴装,适合于现代电子产品的紧凑设计。

主要参数

  • 额定功率: 2W
  • 集电极电流 (Ic): 最大值 3A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值 25V
  • Vce 饱和压降: 600mV(在 Ic = 300mA 时)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值 100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值 100(在 Ic = 1A 和 Vce = 2V 时)
  • 频率 (跃迁频率): 160MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: SOT-223、TO-261-4、TO-261AA

特性分析

FZT749TA 的设计使其在高电流和高频率环境中表现优异。其 2W 的额定功率保证了该晶体管能在较高负载下稳定工作,而 3A 的集电极电流能力使其在很多要求高输出电流的应用中具备良好的适用性。额定的 25V 集射极击穿电压保证了其在恶劣环境下的可靠运行,从而提高了整体电路的稳定性。

对于频率响应,FZT749TA 的 160MHz 跃迁频率确保了其能够在快速开关应用中高效运作,满足现代数字电路对速度的要求。同时,低达 100nA 的截止电流也显示了其低功耗特性,适合需要功耗管理的设计。

在饱和压降方面,600mV 的 Vce 饱和压降表现使得其在工作过程中能有效降低功率损耗,适应于各种高频和大电流的应用场景。这种低压降的特性在电源开关、信号放大等应用中尤为重要。

应用场景

FZT749TA 适用于多种电子设备和电路,特别是在以下应用中表现突出:

  1. 功率放大器:可以作为射频功率放大器的一部分,广泛用于无线通信设备。
  2. 开关电路:由于其优越的电流承载和开关特性,FZT749TA 常被使用在开关电源和各种负载开关控制中。
  3. 驱动电路:可以驱动继电器、马达等负载,适合交流和直流应用。
  4. 模拟信号处理:在音频处理和其他模拟电路中,作为放大器和信号转换电路的核心元件。

结论

FZT749TA 是一款经济实用的 PNP 型三极管,结合其杰出的电气特性和适应广泛的工作环境,使其在很多电子设备中都可以发挥重要作用。无论在高性能音频设备, RF 通信,还是电源管理应用上,FZT749TA 均展现出优越的性能和可靠性。因此,对需要高电流和高频率特性的用户来说,FZT749TA 无疑是一个极具吸引力的选择。