晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 集电极电流Ic | 800mA |
集射极击穿电压Vce | 100V | 额定功率 | 625mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.05V @ 5mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 200nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 625mW |
频率 - 跃迁 | 140MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT734TA是一款高性能的PNP型达林顿晶体管,具有优异的电流增益和优秀的工作特性,广泛应用于各种电子设备的信号放大和开关电路中。该器件的设计旨在提供高效的电流驱动和低压降,适用于要求严苛的环境。
FMMT734TA的达林顿结构使得其在小信号输入时能够实现高增益,适合广泛的放大应用。这使得该晶体管成为需要高增益和高效率的设计中理想的选择。例如,FMMT734TA可以在音响设备的音频放大电路中使用,或在电源管理系统中作为开关元件。
由于其高电流增益,这种晶体管的应用不仅限于放大电路,还包括驱动负载的开关电路,特别是在电流需求较大的情况下。它可以驱动继电器、马达以及其他高功率设备,而无需复杂的驱动电路。
高增益: FMMT734TA具有行业领先的20000的直流电流增益,这使得它能在低输入信号条件下有效工作,减少了前级放大器的负担。
低饱和压降: 在工作状态下,FMMT734TA的饱和压降较低,为设计带来了更好的能效和发热控制。这一特性在进行大功率应用时尤为重要。
宽工作温度范围: 该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作,使其在恶劣环境下的可靠性大幅提升,适配多种工业和汽车应用。
小型化封装: SOT-23-3封装设计使得FMMT734TA适合高密度电路板布局,节省空间,适应现代电子产品日益增长的小型化需求。
FMMT734TA适用于多个领域,包括但不限于:
总体来说,FMMT734TA是一款功能强大、性能卓越的PNP型达林顿晶体管,它以其高电流增益、低饱和压降以及宽工作温度范围,满足了众多现代电子产品的设计需求,对于工程师来说是一个理想的选择。无论是在新产品开发还是在现有产品中进行性能提升,FMMT734TA都提供了广泛的应用可能性。拥有它,意味着您在多样化的电路设计中能够更轻松地实现理想的性能与效率。