FDC3612

FDC3612 产品概述

1. 引言

FDC3612 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计旨在满足对高电压和高电流应用的需求。采用 SuperSOT-6 封装，该器件具备较小的体积和出色的散热性能，是现代电子设备中理想的开关组件。

2. 基本参数

FDC3612 的漏源电压（Vdss）高达 100V，使其非常适合用于电源管理、马达驱动和高压开关应用。同时，该器件的连续漏极电流（Id）达到 2.6A（在 25°C 环境温度下），表现出良好的电流承载能力。这意味着 FDC3612 能够处理相对较大的电流负载，适用于各种工业和消费类电子产品。

3. 性能特点

FDC3612 的 Rds(on) 在 10V 时的最大值为 125 毫欧，这在高频开关应用中可显著降低导通损耗，有助于提高电路的整体效率。此外，其 Vgs(th)值（栅极阈值电压）最大为 4V（在 250µA 下），确保该器件在较低的栅极电压下便能有效导通。

该产品的栅极电荷（Qg）最大为 20nC，在 10V 驱动条件下，确保了在高频操作下较低的开关损耗，适合用于需要快速开关的应用。此外，最大 Vgs（栅极-源极电压）为±20V，提供更高的设计灵活性和耐受能力，方便与各类控制电路配合使用。

4. 电气特性与应用

FDC3612 的输入电容（Ciss）在 50V 下最大为 660pF，意味着它在低频率下具备较高的输入阻抗，能有效减少功率损失。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合于在严酷的环境中使用，具有非常坚固的耐用性。因此，该器件非常适合用于汽车电子、电源转换器、附加设备（如电池管理系统）及其它高温应用。

5. 散热与可靠性

FDC3612 的最大功率耗散为 1.6W（在 25°C 下），保证在高负载条件下实现可接受温度升高。SuperSOT-6 封装类型不仅提供了良好的热管理特性，也支持表面贴装，适应当前电子产品对小型化与高密度集成的需求。

此外，该产品在稳定性和可靠性方面表现优越。其工作窗口宽广和合适的热特性，使其特别适合于对可靠性有高要求的嵌入式系统。

6. 总结

FDC3612 N 通道 MOSFET 将出色的电气性能与优越的可靠性结合，适用于多种电子设计需求。凭借其超值的价位与功能，在现代电子设备的设计中，它是一种值得信赖的选择。无论是在电源管理、马达控制还是高压开关应用中，FDC3612 都能为设计工程师提供灵活的解决方案。