极性 | Bidirectional | 峰值脉冲电流(10/1000us) | 2A (8/20us) |
箝位电压 | 15V | 击穿电压(最小值) | 5.7V |
反向关断电压(典型值) | 5V (Max) | 类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 | 电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 5.7V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12.4V |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2A(8/20µs) | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 12pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | 2-X3DFN(0.62x0.32) |
ESD5481MUT5G 是 ON Semiconductor(安森美)推出的一款二极管过压保护器件,专为电子设备提供有效的瞬态电压抑制(TVS)解决方案。该元件具有双向极性,允许在正负极性中工作,适用于多种应用场景,能够保护敏感电子元件免受瞬态过电压的冲击。
ESD5481MUT5G 的主要技术规格包括:
ESD5481MUT5G 采用表面贴装型的封装形式,即 2-X3DFN(0.62x0.32),极小的封装尺寸使其能够在空间受限的应用中使用,适合现代电子设备的设计需求。这种封装方式不仅提高了设备的集成度,也简化了生产工艺,提高了装配效率。
由于其优越的瞬态抑制能力,ESD5481MUT5G 被广泛应用于:
总而言之,ESD5481MUT5G 是一款高效、可靠的过电压保护器件,能够满足现代电子产品日益增长的保护需求。其小巧的封装、优越的性能以及广泛的应用领域使其成为设计工程师在选择瞬态电压抑制器件时的优选之一。为了在瞬态电压事件中保障设备的安全和可靠性,ESD5481MUT5G 以其强大的技术优势和多样的应用场景,助力电子设计创新,推动智能电子产品的发展。