反向恢复时间(trr) | 35ns | 直流反向耐压(Vr) | 400V |
平均整流电流(Io) | 2A | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 2A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 400V |
电流 - 平均整流 (Io) | 2A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 2A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 35ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 25pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | SMB | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
ES2G-13-F 是一款由 DIODES(美台)生产的高品质快速恢复二极管,专为高效率整流应用而设计。该二极管具有出色的电气性能,如短的反向恢复时间和较低的正向压降,使其在高频开关电源、电机驱动和其他要求有效整流的电路中表现卓越。其表面贴装型(SMB)封装设计,便于在各种电子设备中进行高密度集成。
反向恢复时间(trr): ES2G-13-F 的反向恢复时间为 35 纳秒,适合高频工作条件。这一性能确保了二极管在关断时迅速恢复,降低了开关损耗,提高了整体效率,特别是在开关电源和脉冲电路中的应用。
直流反向耐压(Vr): 该产品的最大直流反向耐压为 400V,能够在高压电路中安全工作,减少器件在高电压条件下击穿的风险。
平均整流电流(Io): ES2G-13-F 支持的平均整流电流为 2A,适用于各种中等功率的整流电路。其可靠的整流能力使其成为电源管理和整流电路中的理想选择。
正向压降(Vf): 在 2A 的工作条件下,该二极管的正向压降仅为 1.25V,这一特性有助于降低功率损耗,提升系统效率。
反向泄漏电流: 在 400V 的工作电压下,反向泄漏电流仅为 5µA,显示出优秀的绝缘能力,适合长时间高压工作,特别是在需要减少静态功耗的应用场合上。
电容特性: 在 4V、1MHz 的条件下,该二极管的电容为 25pF,低电容特性有利于实现高速开关,进一步提升了其在高频电路中的性能。
工作温度范围: 此产品的结温工作范围为 -55°C 至 150°C,具备良好的热稳定性,适合各种恶劣环境条件下使用。
封装类型: ES2G-13-F 采用 SMB 封装,该表面贴装设计方便与自动化生产线配合,适合大批量生产和快速高效的装配工艺。
因其卓越的电气性能,ES2G-13-F 二极管适用于多种电气和电子应用,包括但不限于:
与同类产品相比,ES2G-13-F 的反向恢复时间和正向压降优势明显,能够在更高效能的情况下确保系统的稳定运行。特别是在需要快速切换和低功耗的应用中,相比其他标准二极管更具竞争力。
ES2G-13-F 是一款具有高性能、高可靠性的快速恢复二极管,其优越的电气特性、广泛的应用范围及适应各种环境的设计,确保其成为电子电路设计中不可或缺的元件之一。无论是在开关电源、直流电机控制还是电缆应用领域,选择 ES2G-13-F 都能够为您的设计提供高效、持久的解决方案。