DTD113ZKT146
DTD113ZKT146参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 82 @ 50mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTD113ZKT146手册
DTD113ZKT146概述
DTD113ZKT146 产品概述
引言
在现代电子电路设计中，NPN晶体管因其可靠性、紧凑的尺寸和高效的性能而广泛应用于各种电子设备中。尤其是ROHM推出的DTD113ZKT146型号，这是一款集成了预偏置功能的NPN晶体管，适用于高频应用并具备较高的电流增益。本文将详细介绍该器件的基本参数、主要特性及其典型应用场景，以帮助工程师们更好地理解和应用该产品。
基本参数
DTD113ZKT146是一款表面贴装型（SMT）NPN晶体管，具备以下重要参数：
- 额定功率: 200mW
- 集电极电流 (Ic): 最大 500mA
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大 50V
- 电流－集电极 (Ic) 最大值: 500mA
- 电压－集射极击穿 (最大值): 50V
- 基极电阻 (R1): 1 kΩ
- 发射极电阻 (R2): 10 kΩ
- 最小电流增益 (hFE): 82 @ 50mA，5V
- Vce饱和压降: 最大 300mV @ 2.5mA，50mA
- 集电极截止电流 (最大值): 500nA
- 频率 - 跃迁: 200MHz
- 封装类型: TO-236-3 (也称作SOT-23-3)
- 供应商器件封装: SMT3
主要特性
DTD113ZKT146采用NPN预偏置设计，可以有效降低开关延迟时间，提高电路的响应速度。这种设计使得其在数字电路和模拟电路中均表现出优良的性能。其工作频率高达200MHz，使其在高频应用中具有显著优势。
晶体管的电流增益hFE为82，这在同类产品中表现出色。较高的增益意味着更小的基极电流可以驱动较大的集电极电流，使得电路设计更加灵活。在需要通过小信号驱动更大负载时，DTD113ZKT146十分适合。
器件在工作状态下，饱和压降的控制非常重要。该器件在2.5mA集电极电流时最大饱和压降为300mV，这在一些精密电路中具有重要意义，可以减少功耗和提升系统效率。
应用场景
DTD113ZKT146可广泛应用于多种电子设备，特别是在需要高效开关控制的场合。以下是一些典型应用场景：
开关电源: 在电源管理中，DTD113ZKT146能够作为开关元件，实现高效的电源转换，降低整体能耗。
放大器电路: 该晶体管的适用频率和电流增益特点使其在信号放大器中表现优异，能够处理高频信号。
数字电路: 由于其出色的开关特性，该器件可用于各种数字逻辑电路，例如时钟触发电路和脉冲生成电路。
LED驱动电路: 在LED照明或指示灯中，DTD113ZKT146可用作驱动晶体管，控制LED的开关和亮度。
自动化设备: 在传感器应用和执行器控制中，DTD113ZKT146同样能够提供高效的开关功能。
总结
综上所述，ROHM的DTD113ZKT146 NPN预偏置晶体管，凭借其小巧的表面贴装封装、高电流增益和良好的频率响应特性，广泛适用于现代电子工程中的各类应用。从低功耗开关电源到高频信号放大，DTD113ZKT146无疑是电子设计师的理想选择。它的高可靠性和出色性能，无论在商用还是工业领域，都将为各类电子产品的设计和实现提供强有力的支持。