安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.6 毫欧 @ 17A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.2A | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2026pF @ 30V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41.9nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 40V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 2.6W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
DMTH4007SPD-13 是一款高性能的N通道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)出品。该器件采用表面贴装型封装,型号为PowerDI5060-8,旨在提供优异的电气性能和热管理特性,适合多种高频和大电流的应用场合。
导通电阻与电流特性
在电流 Id 为 17A 和栅极电压 Vgs 为 10V 时,DMTH4007SPD-13 的最大导通电阻仅为 8.6 毫欧。这意味着在正常操作条件下,该MOSFET能够有效减少功耗,提高系统能效。同时,在常温(25°C)下,其连续漏极电流(Id)可达14.2A,确保在高负载下的稳定性和可靠性。
输入电容特性
针对输入特性,DMTH4007SPD-13 的最大输入电容(Ciss)在30V时为2026pF。这一参数在高速开关应用中显得尤为重要,因为较小的输入电容能够减小开关损耗,提高开关速度,从而提升系统的整体性能。
栅极电荷
该MOSFET的栅极电荷(Qg)的最大值为41.9nC(在10V的Vgs条件下),这一特性使得DMTH4007SPD-13 在驱动电路中具有出色的动态性能,降低了驱动电路功耗的同时,提升了开关速度。
DMTH4007SPD-13 工作温度范围广泛,可在-55°C至175°C的极端环境下稳定工作,极大地拓宽了其应用场景,涵盖工业、汽车等要求严苛的应用。其漏源电压(Vdss)额定40V,适合各种低压电源管理场合,能够有效应对瞬态过电压。
由于其卓越的性能与稳定性,DMTH4007SPD-13 广泛应用于以下领域:
DMTH4007SPD-13 的设计思想注重效率与热管理,其低导通电阻与高电流容量相结合,确保在高负载条件下依然可以保持优异的散热性能。此外,采用TDFN-8封装,使得该器件在空间上的表现十分出色,便于在狭小的电路板上实现高密度布线。
总体来看,DMTH4007SPD-13 是一款技术先进的N通道MOSFET,凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,成为电子设计工程师在新能源、电源管理及工业应用领域中首选的重要组件。它的高可靠性与卓越性能,将为各种应用提供可靠保障,为电源设计的创新与优化开辟更广阔的可能性。