DMTH4007SPD-13 产品实物图片
DMTH4007SPD-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMTH4007SPD-13

商品编码: BM0000285822
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI5060-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.6W 40V 14.2A 2个N沟道 TDFN-8-Power
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
4.99
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.99
--
100+
¥4.16
--
1250+
¥3.79
--
2500+
¥3.5
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMTH4007SPD-13参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.6 毫欧 @ 17A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.2AFET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2026pF @ 30V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)41.9nC @ 10V漏源电压(Vdss)40V
FET 功能标准功率 - 最大值2.6W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA

DMTH4007SPD-13手册

DMTH4007SPD-13概述

DMTH4007SPD-13 产品概述

DMTH4007SPD-13 是一款高性能的N通道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)出品。该器件采用表面贴装型封装,型号为PowerDI5060-8,旨在提供优异的电气性能和热管理特性,适合多种高频和大电流的应用场合。

1. 基本特性

导通电阻与电流特性
在电流 Id 为 17A 和栅极电压 Vgs 为 10V 时,DMTH4007SPD-13 的最大导通电阻仅为 8.6 毫欧。这意味着在正常操作条件下,该MOSFET能够有效减少功耗,提高系统能效。同时,在常温(25°C)下,其连续漏极电流(Id)可达14.2A,确保在高负载下的稳定性和可靠性。

输入电容特性
针对输入特性,DMTH4007SPD-13 的最大输入电容(Ciss)在30V时为2026pF。这一参数在高速开关应用中显得尤为重要,因为较小的输入电容能够减小开关损耗,提高开关速度,从而提升系统的整体性能。

栅极电荷
该MOSFET的栅极电荷(Qg)的最大值为41.9nC(在10V的Vgs条件下),这一特性使得DMTH4007SPD-13 在驱动电路中具有出色的动态性能,降低了驱动电路功耗的同时,提升了开关速度。

2. 温度和电压范围

DMTH4007SPD-13 工作温度范围广泛,可在-55°C至175°C的极端环境下稳定工作,极大地拓宽了其应用场景,涵盖工业、汽车等要求严苛的应用。其漏源电压(Vdss)额定40V,适合各种低压电源管理场合,能够有效应对瞬态过电压。

3. 应用场合

由于其卓越的性能与稳定性,DMTH4007SPD-13 广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:特别是在DC-DC转换器和电源开关中,能够有效降低导通损耗,改进系统效率。
  • 电动汽车:适合用于驱动电机控制和电池管理系统,满足高效率和高可靠性的需求。
  • 工业控制:在电机驱动和载流保护电路中提供高导通能力,确保设备安全与高效运行。
  • 消费电子:适用于快速充电电路及各种便携式设备中,提升设备性能与续航。

4. 竞争优势

DMTH4007SPD-13 的设计思想注重效率与热管理,其低导通电阻与高电流容量相结合,确保在高负载条件下依然可以保持优异的散热性能。此外,采用TDFN-8封装,使得该器件在空间上的表现十分出色,便于在狭小的电路板上实现高密度布线。

5. 总结

总体来看,DMTH4007SPD-13 是一款技术先进的N通道MOSFET,凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,成为电子设计工程师在新能源、电源管理及工业应用领域中首选的重要组件。它的高可靠性与卓越性能,将为各种应用提供可靠保障,为电源设计的创新与优化开辟更广阔的可能性。