DMT6016LSS-13
DMT6016LSS-13参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 864pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMT6016LSS-13手册
DMT6016LSS-13概述
DMT6016LSS-13 产品概述
基本信息
DMT6016LSS-13 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）品牌生产，采用 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）封装。它的设计旨在提供高效率和优良的热管理，使其在多种电子应用中表现出色。DMT6016LSS-13 的主要参数包括最大漏源极电压 Vdss 为 60V，连续漏极电流 Id 在 25°C 时达到 9.2A，功耗极限为 1.5W，工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适用于各种严苛的应用环境。
性能特点
DMT6016LSS-13 的电气性能表现优越，具有低导通电阻（Rds On）。在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 18 毫欧，这意味着在高负荷操作时它的发热量较低，有助于提高整体系统的能效。此外，该产品的栅极阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.5V (在 250µA 时测得)，这使得它在低电压驱动时也能够实现快速开关，适合用于高频应用。
适用范围
由于其高性能及稳定的工作特性，DMT6016LSS-13 非常适合以下应用场景：
电源管理: 该 MOSFET 可以用于电源转换器和稳压器，提高电源的效率和稳定性，适合 DC-DC 转换应用中。
电机驱动: 在电动机控制器中，该器件具有快速的开关能力和高电流承载能力，能够有效驱动无刷电机或步进电机。
开关电源: 由于低导通电阻和快速开关特性，在开关电源设计中，DMT6016LSS-13 带来了更低的能量损耗和更高的功率密度，提升了整体能效。
电池管理系统: 在各种电池管理解决方案中，该MOSFET能够有效地调节和监控电池的充放电过程，确保电池的安全和寿命。
通信设备: 在无线和有线通信设备中，其高频性能和低导通电阻能够保证信号的完整传输。
设计优势
DMT6016LSS-13 采用表面贴装（SMT）技术，简化了 PCB 的设计和制造流程，并且能够实现更高的组件密度。其较广的工作温度范围使得该元件可以在各种温度条件下可靠地运行，增强了系统在不同环境条件下的稳定性。
市场竞争力
作为一个由知名厂商DIODES（美台）生产的产品，DMT6016LSS-13 拥有持久的市场声誉和技术支持。这使得它在选型时成为设计工程师的优选，特别是在需要平衡性能与成本的情况下。而且，DIODES 提供的丰富的产品线和技术支持让客户能够根据具体需求选择最佳的解决方案。
总之，DMT6016LSS-13 是一款功能强大且灵活的 N 沟道 MOSFET，具有低导通阻和高温操作范围，广泛适用于电源管理、电机驱动、开关电源等多个领域，是现代电子设计中的理想选择。