DMP4047SSD-13
DMP4047SSD-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.1A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4.4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1154pF @ 20V | 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
DMP4047SSD-13手册
DMP4047SSD-13概述
DMP4047SSD-13 产品概述
产品名称: DMP4047SSD-13
类型: 双P沟道场效应管 (MOSFET)
封装: 8-SOIC (0.154"，3.90mm 宽)
制造商: DIODES（美台）
1. 基本参数
DMP4047SSD-13是一款高性能的双P沟道场效应管，具有以下关键参数：
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C时可达到5.1A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3V，适用于250µA的条件
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在4.4A和10V的条件下最大值为45mΩ
- 最大功率耗散: 在环境温度为25°C时最高达1.3W
- 工作温度范围: -55°C至150°C
2. 功能与应用
DMP4047SSD-13被设计用于逻辑电平门电路，其双P沟道MOSFET结构使得它特别适合于低电压和高电流应用。在开关电源、直流-直流转换器和电动机控制等领域，它能够实现高效的电流控制和转换。
该器件利用其低导通电阻在开启状态下提供更小的功率损耗，因而在许多应用中能够有效降低温升，提升整体系统性能。其适合用于驱动负载、信号处理、以及对电流和电压要求较高的电路设计，尤其在汽车电子、消费电子等领域表现优异。
3. 电气特性
DMP4047SSD-13的电压和电流特性使其在高温和高功率环境中保持优异的性能。漏源导通电阻（Rds(on)）的低值，也表示在开关状态下能够有效降低功耗。关断时的栅极电荷（Qg）最大值为21.5nC，确保快速开关特性，适用于高频率应用场合。
此外，在20V的输入条件下，其输入电容（Ciss）达到1154pF，这使得该器件在驱动和控制时的响应速度更快，减少了延迟时间，提高了工作效率。
4. 安装与兼容性
DMP4047SSD-13采用了表面贴装型封装（SO-8），这使其能够与多种现代PCB设计兼容。其紧凑的封装尺寸减少了电路板空间的占用，并且便于自动化焊接，提高了生产效率。此外，该器件的工作温度范围应付多变的环境条件，确保在恶劣条件下的可靠性。
由于其优异的性能和广泛的应用潜力，DMP4047SSD-13在多个电子设备中找到了广泛应用，包括智能家居、工业控制和汽车电子等领域。这使得它成为设计工程师在选择逻辑电平MOSFET时的理想选择。
5. 结论
DMP4047SSD-13双P沟道MOSFET凭借其出色的电气参数、稳定性和适应性，提供极大的设计灵活性。无论是在功率转换还是在信号调节方面，它都能有效满足高性能电子应用的需求，是现代电子设计不可或缺的优质元器件。
通过合理的电路设计和适当的使用，DMP4047SSD-13能够为最终产品的性能和可靠性提供强有力的支持，助力创新和技术进步。