DMP4047SK3-13
DMP4047SK3-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4.4A,10V | 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.6W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1328pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMP4047SK3-13手册
DMP4047SK3-13概述
DMP4047SK3-13 产品概述
DMP4047SK3-13 是一种高性能 P 沟道 MOSFET，专为电源管理和开关应用设计。该器件由 DIODES（美台）公司生产，采用表面贴装 TO-252 封装，提供可靠的性能和卓越的热管理特性。其广泛的应用领域包括电源转换、电机驱动、板载负载开关等。
关键参数与性能
漏源电压 (Vdss): DMP4047SK3-13 的漏源电压可达 40V，这使得该元器件在高电压应用中表现出色，能够有效处理根据需求而变化的电压条件。
连续漏极电流 (Id): 在25°C 时连续漏极电流为 20A，适合各种中到高功率的应用。这一输出特性使其特别适合在需要较大电流的情境中使用，比如电动机或高功率电子设备的控制。
导通电阻 (Rds(on)): 该器件在 4.4A 和 10V 条件下的漏源导通电阻为 45mΩ，这种低导通电阻优势有效降低了导通损耗，提高了能效，减少了发热量，从而提升系统的可靠性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源阈值电压为 3V @ 250µA，意味着器件在相对较低的栅电压下即可开始导通，这一特性使得器件在低电压驱动的场合中依然能够表现优良。
驱动电压与栅极电荷: DMP4047SK3-13 支持驱动电压达 4.5V 和 10V，显示了良好的兼容性，适合多种控制电路。此外，栅极电荷（Qg）最大值为 23.2nC @ 10V 的性能确保其在开关状态中具有快速响应能力，适合快速开关应用。
热特性
DMP4047SK3-13 的最大功率耗散为 1.6W（在环境温度 25°C 条件下），并且工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C。这一特性确保器件在严苛的工作环境中稳定运行，并适用于航天、电气等对温度要求较高的领域。
封装与安装
DMP4047SK3-13 的 TO-252 封装，使其适用于表面贴装（SMT）技术，便于大规模自动化生产和安装。这种封装设计不仅能有效节省空间，还帮助优化散热性能，提升了整体可靠性。
应用场景
DMP4047SK3-13 适用于各种应用场景，例如：
- 开关电源: 其高频快开关特性，降低了能量效率损失，提升了电源的转换效率。
- 电机驱动: 在电动机控制中，对电流和电压的频繁切换需求使得 MOSFET 的高导通性能和快速开关能力不可或缺。
- 负载开关: 由于其低导通电阻和稳定的工作温度，DMP4047SK3-13 是理想的负载开关选择，可以有效控制负载的通断状态。
结论
DMP4047SK3-13 是一款结合了高电压、较高电流承载能力和优秀导通性能的 P 沟道 MOSFET，适合多种电源管理和开关应用。无论是在工业、消费电子还是在汽车电子领域，凭借其优秀的性能特点和广泛的适应性，该器件都能够为用户提供可靠和高效的解决方案。选择 DMP4047SK3-13，您将获得稳定性和表现出的高能效，助力您的项目成功实施。