DMP32D4SW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.014g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300mW 30V 250mA 1个P沟道 SOT-323-3
库存 :
15156(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.322按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.322
--
200+
￥0.208
--
1500+
￥0.181
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP32D4SW-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 250mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.4Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 51.16pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMP32D4SW-7手册
DMP32D4SW-7概述
DMP32D4SW-7 产品概述
产品简介
DMP32D4SW-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，具有优越的电气特性和宽广的工作温度范围。其在表面贴装型封装 (SOT-323) 中提供了高效的方案，适用于多种应用场合，特别是在要求高可靠性和低功耗的电子设备中，如电源管理、负载驱动和开关控制等。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 连续漏极电流 (Id): 250mA（环境温度 25°C 时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.4V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds On): 最高 2.4Ω @ 500mA 和 10V
- 最大功率耗散: 300mW（在环境温度 25°C 下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 栅极电荷 (Qg): 1.2nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 高达 51.16pF @ 15V
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
封装与安装
DMP32D4SW-7 采用 SOT-323 封装，这使得其在空间受限的电路板设计中表现优异。SOT-323 封装具有良好的散热性能和电气性能，是现代电子设备中应用广泛的选择。此外，MOSFET 的表面贴装安装方式使得其在自动化生产过程中更具优势，降低了制造成本和施工难度。
应用场合
由于其卓越的参数，DMP32D4SW-7 在许多应用场合中都是理想的选择，包括但不限于：
- 电源管理: 适合各种电源开关及调节器，能够有效地控制电源的导通与关断，提供更高的能效。
- 负载控制: 可以用于控制电机、驱动继电器等负载，保证系统的高性能与可靠性。
- 信号开关: 在信号处理电路中用作开关，能够实现快速的信号切换。
性能优势
DMP32D4SW-7 具有以下性能优势：
- 高效性: 低导通电阻(Rds On)和高持续漏极电流允许装置在较小的功耗下运行，提高了整个系统的能效。
- 耐温性: 工作温度范围宽广，能在极端环境条件下保持稳定性能，非常适合航空航天、汽车电子及工业控制等严苛应用。
- 可靠性: 制造商 DIODES 以其高质量的产品著称，此器件经过严格的质量控制，保证了高可靠性与长期稳定性。
结论
DMP32D4SW-7 是一款出色的 P 沟道 MOSFET，适合多种电子应用。凭借其高性价比和优异的性能特征，在市场上满足了不断增长的客户需求。无论是在电源管理还是负载控制应用领域，DMP32D4SW-7 都可以为设计师提供可靠且高效的解决方案。面对激烈的市场竞争，其卓越的性能和稳定的质量使得 DMP32D4SW-7 成为现代电子产品设计中的一种理想选择。