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DMP3160L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.08W 30V 2.7A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.363按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.363
--
200+
￥0.234
--
1500+
￥0.203
--
3000+
￥0.18
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3160L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.7A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 122mΩ @ 2.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.08W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 122 毫欧 @ 2.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 227pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.08W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP3160L-7手册
无数据
DMP3160L-7概述
DMP3160L-7 产品概述
1. 基本信息
DMP3160L-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，专为各种电子电路设计而优化，具有卓越的电气特性和优良的热管理能力。该器件的额定漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）为 2.7A（在 25°C 环境温度下），使其适合广泛的应用场景，如开关电源、DC-DC 转换器以及各种负载开关应用。
2. 关键特性
- 漏源电压（Vdss）： DMP3160L-7 最大可承受 30V 的漏源电压，这使其在高压应用中具备足够的安全裕度。
- 连续漏极电流（Id）： 器件可以输出最大 2.7A 的连续电流，确保在高负载条件下保持良好的性能。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 器件在施加 2.1V @ 250µA 时开始导通，帮助提高驱动电路的兼容性，且适用于低门限电压控制的应用。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 在 10V 驱动下，漏源导通电阻低至 122mΩ（在 2.7A 电流下），有效降低能量损耗，提高整体电路效率。
- 最大功率耗散： 器件的最大功率耗散为 1.08W（在 25°C 环境下），这增强了其在不同工作环境下的适应能力。
- 工作温度范围： DMP3160L-7 可在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定运行，非常适合于苛刻的工业和汽车应用。
3. 封装与安装
DMP3160L-7 采用 SOT-23 封装，这种表面贴装型设计适合自动化焊接，并为空间受限的设计提供了便利。封装尺寸小，能有效减轻系统的整体体积，同时增强了控制板的布局灵活性。
4. 应用场景
DMP3160L-7 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）： 在高频开关电源中，该P沟道MOSFET可以用于主开关或同步整流。
- 直流-直流转换器（DC-DC Converter）： 由于其低导通电阻及低阈值电压，它适合用作降压转换器和升压转换器的开关元件。
- 电机驱动： MOSFET 能够高效地控制电机的启停以及调速，是智能电机控制系统的理想选择。
- 负载开关： DMP3160L-7 可作为负载开关和电源管理应用中的开关元件，实现高效的电源管理与控制。
5. 竞争优势
与传统的 P 沟道 MOSFET 相比，DMP3160L-7 拥有更低的导通电阻和更高的电流承载能力，使其在高功率应用中的表现更加优异。同时，其相对低的阈值电压和极宽的工作温度范围能够满足多样化的设计需求，提供了更加灵活的电路设计选择。
6. 结论
综上所述，DMP3160L-7 是一款功能全面、性能卓越的 P 沟道 MOSFET，适合于各类电子应用。无论是在高频开关电源，直流-直流转换器，还是电机驱动及负载开关中，它都能够提供可靠且高效的性能，助力设计人员实现更高效、稳定的电子产品。