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DMP3015LSSQ-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.22按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.22
--
100+
￥2.69
--
1250+
￥2.44
--
2500+
￥2.26
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3015LSSQ-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2748pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP3015LSSQ-13手册
无数据
DMP3015LSSQ-13概述
DMP3015LSSQ-13 产品概述
一、产品背景
DMP3015LSSQ-13 是一款高性能的P沟道MOSFET（场效应管），由DIODES（美台）公司制造，专为电源管理和开关应用而设计。凭借其卓越的电流承载能力及低导通电阻特性，该器件适用于各种需要高效率和较高开关频率的电子电路，如DC-DC变换器、功率放大器及电机驱动等。
二、主要特性
电气规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V，适用于工作在低压、高效能的应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 13A（在25°C环境温度下工作），使其能够承受较大的负载电流。
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值11毫欧，能够有效降低功耗和发热，提升整体系统效率。
驱动电压
- 该器件的门极驱动电压在4.5V至10V的范围内可实现最佳的导通状态，确保了对各种驱动电路的兼容性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）
- 最大值为2V @ 250µA的阈值电压，保证了该MOSFET在较低的栅极电压下即可实现导通，适合低电压驱动应用。
栅极电荷（Qg）
- 最大值60.4nC @ 10V，较低的栅极电荷值有助于实现快速开关，降低开关损耗，从而提高整体效率。
输入电容（Ciss）
- 最大值为2748pF @ 20V，该电容值在高频操作时提供了良好的稳定性，同时也促进了快速开关响应。
功率耗散
- 最大功率耗散为2.5W，适合需要较高散热能力的应用。
工作温度范围
- -55°C至150°C的广泛工作温度范围使其可以在极端环境下稳定工作，极大地增强了应用的灵活性。
封装与安装
- 采用8-SO封装，这种表面贴装型封装有助于实现高密度电路设计，且支持快速组装，适合大规模生产需求。
三、应用场景
DMP3015LSSQ-13广泛用于以下场景：
- 电源管理：在绿色能源和可再生能源转换系统中，用作主开关元件，提升能量转换效率。
- 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）的驱动控制，能提供高效的电流控制。
- 汽车电子：在车载电子设备中作为功率开关，具有高耐温性，适应汽车环境。
- 消费电子：用于LED驱动、开关电源（SMPS）等便携和家用产品中。
四、总结
DMP3015LSSQ-13是一款具有极高性价比的P沟道MOSFET，其低导通电阻、优越的电流处理能力和广泛的工作温度范围，使其在多个高效能电子应用中更具竞争力。结合其卓越的电气性能与DIODES的品质保证，使其成为设计工程师与电路开发者的理想选择。无论是在传统电源应用还是在新兴的绿色能源技术领域，DMP3015LSSQ-13都能够为设计者提供可靠的解决方案。