漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 50A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.8mΩ @ 11.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.4W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.8 毫欧 @ 11.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64.2nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2826pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 2.4W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | V-DFN3333-8 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3007SCG-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为需要高电流和中等电压的应用设计,具有优秀的导通性能和低导通电阻。该器件在行业中广泛应用于电源开关、马达驱动和其他功率管理应用。
DMP3007SCG-7 是通过先进的 MOSFET 技术制造而成,具有以下技术特性:
低导通电阻: 该器件在 10V 的驱动电压下,能够达到 6.8mΩ 的低导通电阻,提供高效的电流控制,减少能量损耗,适合高效电源设计。
高电流承载能力: 连续漏极电流高达 50A,意味着该 MOSFET 可以满足各类高功率应用的需求,保证在高负载条件下的可靠工作。
宽安全工作区域: 漏源电压为 30V,适合多种电源和驱动应用,确保在高电压条件下的稳定性和散热性能。
高温工作能力: 工作温度范围达到 -55°C 到 150°C,适合航空、汽车等特殊环境下的应用,确保设备在极端条件下也能正常工作。
表面贴装设计: VDFN 封装提供了良好的空间节省,适合现代电子设备的紧凑布局,同时优化了散热性能,提高了可靠性。
DMP3007SCG-7 的广泛应用主要集中在以下几个领域:
高效电源管理: 微处理器电源、DC-DC 转换器以及各种电源开关电路,通过其低导通电阻特性,减少功耗,提高效率。
电动机驱动: 在电动机控制和驱动中,能够提供即时的高电流响应,适合用于电机控制和驱动电路,尤其是在快速开关和动态负载条件下。
汽车电子: 在包括电动车辆和传统汽车的各种应用中,帮助实现准确的电流控制和功率管理,以确保组合作用的运行稳定。
工业自动化及控制: 适合用于可编程逻辑控制器(PLC)和其他工业自动化设备的开关控制,保证高效率和低热量产生。
DMP3007SCG-7 是一款集高功率、高效率和宽工作温度范围于一体的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和优良的电流承载能力,适合多种性能要求高的应用领域。其先进的封装设计使得其在当今小型化、高性能电子设备中表现尤为出色,是工程师们在设计电源管理和控制电路时的理想选择。无论是在电源供应、马达驱动,还是在特殊环境下的应用,DMP3007SCG-7 都能为设计提供可靠的解决方案。