DMP2225L-7
DMP2225L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.25V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 110mΩ @ 2.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.08W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 2.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.3nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1.08W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2225L-7手册
DMP2225L-7概述
DMP2225L-7 产品概述
一、产品简介
DMP2225L-7是一款高性能的P沟道MOSFET（场效应管），由DIODES（美台）推出，旨在满足多种电子电路设计中的开关和放大需求。此型号的特点是具备优秀的电气性能，包括较低的导通电阻和宽广的工作温度范围，使其适用于各种应用场景，如电源管理、负载开关、音频放大等。
二、基础参数
该MOSFET的主要参数为：
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 2.6A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.25V @ 250µA，确保设备在低栅电压下也能正常工作。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大110mΩ @ 2.6A, 4.5V，显示其优越的导电性能。
- 最大功率耗散: 1.08W（在环境温度为25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，为高温和低温环境中的应用提供了灵活性。
三、电气特性
导通特性: DMP2225L-7具有较低的漏源导通电阻，使其在工作时能显著降低能量损耗和发热，从而提升整体系统的能效。这使得该MOSFET在高电流应用中表现卓越。
开关特性: 该器件的栅极电荷（Qg）为5.3nC @ 4.5V，显示出其在高频开关应用中的高效性。快速的开关响应时间对于高频操作至关重要，能够满足现代电子设备的设计需求。
输入/输出特性: 输入电容（Ciss）为250pF @ 10V，确保该MOSFET适合用于高频信号的处理。此外，其±12V的最大栅源电压（Vgs）限制也为设计提供了额外的安全余地。
四、封装与设计
DMP2225L-7采用了SOT-23-3表面贴装型封装，使其在PCB上的占用面积减小，便于在空间受限的应用中使用。此外，其相对较小的外形有助于提高整体的散热能力。这种封装设计能够适应自动化贴装生产线的要求，提高生产效率。
五、应用场景
电源管理: DMP2225L-7非常适合用于DC-DC转换器、负载开关电路等应用，帮助实现高效的能量转换和管理。
汽车电子: 由于该元件具备广泛的工作温度范围，它适用于汽车电子设备中的各种应用，比如智能电源开关和驱动电路。
消费电子: 在手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中，它可以用于功率分配和电源控制，提高电池效率和使用寿命。
通信设备: DMP2225L-7可应用于无线通信模块和基站设备中的功率放大和开关电路，保证信号的稳定传输。
六、总结
DMP2225L-7是一款综合性能优越的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、宽广的工作温度范围和小巧的封装，成为多种电子设计中不可或缺的组件。无论是在电源管理、汽车电子还是消费类产品领域，这款器件都能提供可靠的性能支持，助力设计工程师实现高效、可靠的电路解决方案。其卓越的集成特性和工艺技术，充分展示了DIODES（美台）在电子元件领域的专业水平，是现代电子产品设计中的理想选择。