DMP2165UW-7

DMP2165UW-7 产品概述

简介 DMP2165UW-7 是由DIODES（美台）公司出品的一款高性能 P沟道 MOSFET（场效应管），其主要用于电源管理和高效开关应用。MOSFET 技术是现代电子设备中不可或缺的重要组成部分，其优越的高频特性和低导通电阻使其在多种应用中得到广泛应用。DMP2165UW-7 在设计中考虑了高效、低功耗及高可靠性，是电源设计工程师的理想选择。

基本参数

• 漏源电压（Vdss）：20V。此电压等级适合低压电源供应和负载控制应用。
• 连续漏极电流（Id）：2.5A（在25°C环境温度下）。该电流规格使其能够处理中等负载，非常适合电机驱动、开关电源等应用。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA。此特性允许在较低的驱动电压下实现开关控制，提高了设计的灵活性与效率。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：90mΩ @ 1.5A, 4.5V，代表了在较小负载和适中电压条件下的优良导通能力。
• 最大功率耗散：在风扇冷却的情况下为700mW，提供了足够的热管理余地。

技术规格 DMP2165UW-7 是基于金属氧化物半导体（MOS）技术的 P沟道 FET，适用于多种开关和线性放大应用。其关键技术参数包括：

• 驱动电压（Vgs）：具有良好的工作范围 ±12V。
• 栅极电荷（Qg）：3.5nC @ 4.5V，低栅极电荷确保快速开关和较低的驱动功耗。
• 输入电容（Ciss）：335pF @ 15V，支付系统的源电路设计提供了优良的信号耦合能力。

工作环境 DMP2165UW-7 的工作温度范围为：-55°C至150°C，适配各种工业环境和高温应用，确保了运作的可靠性和稳定性。

封装规格 该器件采用 SOT-323 / SC-70 封装，支持表面贴装，使其适合高密度PCB布线设计，且便于大规模生产和自动化组装。

应用领域 DMP2165UW-7 的设计使其非常适合于多个应用场景，例如：

• 电源管理：作为开关元件用于 DC-DC 转换器，提供高效的电源路径。
• 电机控制：在电机驱动电路中有效控制电机的开关操作。
• 图像处理器与驱动电路：为特定的数字电路提供稳定的电源管理。
• 消费电子：包括个人电子设备和便携式产品中的电源开关。

总结 DMP2165UW-7 以其卓越的电气性能、可靠的工作特性和灵活的应用能力，成为现代电源管理设计中一款不可或缺的经典元器件。设计师在选择 MOSFET 时可以充分考虑 DMP2165UW-7，以实现高效能和高可靠性的产品设计。