晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 2.4W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 305mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,2V | 功率 - 最大值 | 2.4W |
频率 - 跃迁 | 185MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
ZXTN25060BZTA 是一款高性能 NPN 型金属氧化物半导体场效应晶体管 (BJT),广泛应用于开关电源、功率放大器以及各种电子电路设计中。该器件具有高集电极电流能力和出色的耐压特性,适合处理各种负载电流和电压应用。其小巧的 SOT-89 封装设计使其在空间受限的环境中也能高效工作。
ZXTN25060BZTA 可广泛应用于以下领域:
ZXTN25060BZTA 是一款功能强大且设计优良的 NPN 晶体管,凭借其出色的电气性能和适应性,成为工程师们在设计高效电路时的一种理想选择。无论是在要求高电流能力的应用,还是在对热稳定性和频率有要求的场合,该晶体管均能满足需求。DIODES(美台)提供的高品质保证进一步增强了此器件在市场上的竞争力,是现代电子设计中不可或缺的一部分。