漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 125mΩ @ 2.2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 2.2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17.7nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 637pF @ 30V | 功率耗散(最大值) | 2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
ZXMP6A17GTA 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于电源开关、驱动电路和电池管理等领域。作为 SOT-223 封装的元器件,其因小型化和高效能特点,深受电子工程师的喜爱。该器件具备优异的热性能和可靠性,适用于多种工作环境和应用。
ZXMP6A17GTA 使用 SOT-223 封装,具有小体积和良好的热管理性能。其表面贴装设计(SMD)使得安装更加方便、牢固,忽略了传统插件式元件的空间浪费。在多层电路板设计中,能够有效减少PCB面积占用,提高整体设计的紧凑性。
ZXMP6A17GTA 广泛应用于如下领域:
在现代电子设备的设计中,选择合适的元器件至关重要。ZXMP6A17GTA 作为一款高性能的 P 型沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和良好的热性能,满足了多个应用领域的需求,展现了其在电子行业的重要价值。设计工程师可以信赖 ZXMP6A17GTA 在各种复杂应用环境下的表现,为产品的性能优化提供强有力的支持。