ZXMP6A17E6TA
ZXMP6A17E6TA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 125mΩ @ 2.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 2.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 637pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZXMP6A17E6TA手册
ZXMP6A17E6TA概述
ZXMP6A17E6TA 产品概述
一、概述
ZXMP6A17E6TA是由DIODES（美台）公司推出的一个高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计旨在满足各种低功耗应用的需求，广泛适用于电源管理、开关电路及其他电子设备中。该器件采用SOT-26封装，具有紧凑的尺寸和可靠的性能，是现代电子设备设计中不可或缺的一部分。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET支持最大漏源电压为60V，使其能够在高电压环境中正常工作，适合多种高电压需求的应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，ZXMP6A17E6TA能够承受高达2.3A的连续漏极电流。此参数保证了器件在高负载工作条件下的可靠性和稳定性。
导通电阻（Rds(on)）: 在2.3A和10V的条件下，最大漏源导通电阻为125mΩ。这一特性确保了在强大的导通状态下，MOSFET将损耗保持在较低水平，从而提高整体效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: ZXMP6A17E6TA的栅源极阈值电压为1V（@ 250µA），意味着在相对较低的驱动电压下即可开启，从而进一步降低功耗并提高响应速度。
驱动电压: 器件支持的驱动电压范围为4.5V到10V，有助于在多种输入条件下的灵活应用和优化；此外，栅极电荷（Qg）为17.7nC（@ 10V），显示出其良好的控制特性。
功率耗散: ZXMP6A17E6TA在25°C的环境温度下最大功率耗散为1.1W，适用于中等功率的应用，确保设备的安全性和稳定运行。
输入电容（Ciss）: 该器件在30V时具有637pF的输入电容，确保快速的开关特性，降低了电路中的延迟，提高了整体性能。
三、应用领域
ZXMP6A17E6TA 适用于多种电子应用，包括但不限于：
电源管理: 可用作开关调节器、DC-DC转换器及Buck转换器中的开关元件，以提高电源转换效率。
电机驱动: 在直流电机驱动和步进电机控制系统中，ZXMP6A17E6TA可用作驱动开关。
热控设备: 由于其良好的电流承载能力和导通损耗特性，在热管理及散热设备中也能找到适用场景。
开关电源: 在开关电源电路中，ZXMP6A17E6TA可以高效切换功率路径，确保稳压操作。
四、工作环境与安装
ZXMP6A17E6TA的工作温度范围为-55°C到150°C，具备良好的耐环境能力，能够在极端条件下稳定运行。此外，该器件采用SOT-26表面贴装型封装，便于设计师在现代PCB（印制电路板）布局中高效利用空间，简化了生产工艺。
五、总结
ZXMP6A17E6TA是一款高效、紧凑、可靠的P沟道MOSFET，适合多种应用需求。凭借其出色的电性能和广泛的适用性，这款器件无疑是设计工程师实现高效电源管理和驱动控制的理想选择。在现代电子产品的快速发展中，选择ZXMP6A17E6TA将为您的设计提升性能与可靠性提供强大支持。