ZXMN10A11GTA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT223
包装 :
编带
重量 :
0.232g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 100V 1.7A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
301(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.8按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.8
--
50+
￥1.38
--
1000+
￥1.15
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMN10A11GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.7A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 350mΩ @ 2.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 2.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 274pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZXMN10A11GTA手册
ZXMN10A11GTA概述
ZXMN10A11GTA 产品概述
ZXMN10A11GTA是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高效率和低导通电阻的应用场合设计。该器件由美台（DIODES）公司生产，采用SOT-223封装，具备优异的热稳定性和功率处理能力，广泛应用于开关电源、马达驱动、LED驱动及其他高频的功率控制场合。
主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 100V，适合用于高电压应用。
- 最大漏极电流（Id）: 1.7A（在25°C时），提供有效的电流处理能力。
- 栅源阈值电压: 4V @ 250µA，适合与低电压驱动电路匹配。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 在2.6A、10V条件下为350毫欧，确保低功率损耗和高效率的电流传输。
- 最大功率耗散: 在25°C环境温度下可达到2W，适合中等功率应用。
- 工作温度范围: -55°C至150°C，能够在苛刻的环境下稳定工作。
性能特性
ZXMN10A11GTA具备极佳的导通性能和较低的导通电阻，尤其在高电压和高负载的场合显示出其优秀的电流承载能力。此外，其最大栅极电压（Vgs）可达到±20V，使其在不同控制信号下均能保持稳定的工作状态。0-10V驱动电压下，Qg（栅极电荷）最大为5.4nC，提供良好的开关速度，适应快速开关应用的需求。
应用领域
- 开关电源：ZXMN10A11GTA能够在开关电源中高效控制和转换电能，提供稳定的输出。
- 直流电机驱动：在电机启动和控制过程中，该MOSFET能高效地管理电流，确保电机平稳启动。
- LED照明驱动：适合用于LED驱动电路，能够以高效和低发热的方式驱动LED灯泡。
- 信号放大与开关电路：在信号控制和放大应用中，ZXMN10A11GTA也展现出优异的性能。
封装特性
该MOSFET采用SOT-223封装，体积小巧，适合表面贴装（SMD）技术。SOT-223的设计确保良好的散热性能，能够在较高功率情况下有效降低器件温度，提高了整体系统的可靠性和耐受性。
总结
ZXMN10A11GTA是一款高效、多功能的N沟道MOSFET，凭借其高电压和电流处理能力，出色的导通性能与宽广的工作温度范围，使其成为众多电子应用的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子等领域，它都能满足多样化的功率管理需求，提供可靠的性能与效率，是智能电源和驱动设计中不可或缺的组件。