ZVN4206GTA
ZVN4206GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 1Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZVN4206GTA手册
ZVN4206GTA概述
ZVN4206GTA 产品概述
产品介绍 ZVN4206GTA是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能的电力管理和开关应用设计。其采用SOT-223封装，具有优异的热性能与空间利用率，适用于各种电子设备中的开关和放大电路。ZVN4206GTA的最大漏源电压为60V，能够承受严苛的工作环境，适合于电源管理、电机控制、以及其他需要高可靠性的电子应用场景。
基本参数 ZVN4206GTA的关键参数包括：
- 漏源电压（Vdss）： 60V，这一参数使其在许多电源和驱动应用中具有广泛的适用性。
- 连续漏极电流（Id）： 在25°C环境下为1A，能够满足常见的低功耗电子产品要求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)： 3V @ 1mA，确保在较小的栅极电压下即可启动，增强电路的灵活性。
导通电阻与功耗 ZVN4206GTA具有优异的电气特性，漏源导通电阻（Rds(on)）为1Ω @ 1.5A，10V。较低的导通电阻意味着此MOSFET在工作时所产生的能量损耗较小，能够有效提升工作效率。此外，这款MOSFET的最大功率耗散为2W（Ta=25°C），在适当的散热条件下可长时间稳定工作。
电气特性 在驱动电压方面，ZVN4206GTA支持最大Rds(on)电压为5V，最小Rds(on)为10V。这使得在多种工作条件下可以实现高效能的开关操作。同时，其输入电容（Ciss）在25V时最大为100pF，适于高频开关应用，降低开关损耗，有助于提高整体性能。
工作温度范围 该器件可在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作，满足高温和低温操作条件下的应用需求。因此，ZVN4206GTA在严苛的工作环境中仍表现出色，如汽车电子、航空航天、工业控制等领域。
封装与安装 ZVN4206GTA采用SOT-223封装，表面贴装类型使其可以高效地整合到现代PCB设计中。这种紧凑的封装形式不仅节省了空间，还有助于提高散热性能，满足日益紧凑的板设计需求。
应用领域 由于其优良的电气特性和广泛的工作温度范围，ZVN4206GTA适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 电源管理： 在开关电源和线性电源中作为开关元件，提升能效。
- 电机驱动： 在直流和步进电机驱动中用作功率开关器件，提供高效的控制能力。
- LED驱动器： 通过有效的电流管理，可以用于LED灯具的高效驱动。
- 汽车电子： 在汽车电源系统和信号放大应用中发挥重要作用。
总结 ZVN4206GTA是一款功能强大的N沟道MOSFET，凭借其优越的电气性能、广泛的工作温度范围和紧凑的封装，成为了现代电子产品中不可或缺的元件。无论是在电力管理、工业控制还是汽车电子领域，它都展现出卓越的用途和可靠性，是设计工程师的理想选择。通过合理的设计与应用，ZVN4206GTA将为各种电子系统提供高效、稳定的性能保障。