XP162A12A6PR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

XP162A12A6PR

商品编码: BM0000285783
品牌 : 
TOREX(特瑞仕)
封装 : 
SOT-89-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.127g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 20V 2.5A 1个P沟道 SOT-89-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.3
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.3
--
50+
¥0.996
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

XP162A12A6PR参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.5A
栅源极阈值电压1.2V @ 1mA漏源导通电阻170mΩ @ 1.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W类型P沟道

XP162A12A6PR手册

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XP162A12A6PR概述

产品概述:XP162A12A6PR P沟道场效应管

XP162A12A6PR 是一款高性能的 P沟道增强型场效应管,广泛应用于各种模拟和数字电路的开关控制功能。该器件由知名品牌 TOREX(特瑞仕)生产,具有优良的电气性能和紧凑的封装形式(SOT-89-3),适合于空间有限的应用场景。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss):20V

    • 该器件可在最大20V的漏源电压下安全工作,非常适合用于小型电源管理电路,以控制电压和保护负载。
  2. 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A

    • 在室温下,该P沟道MOSFET可承受最高2.5A的连续漏极电流,适合用于驱动小功率负载,如LED、马达及其他电子负载。
  3. 栅源极阈值电压:1.2V @ 1mA

    • 栅源极阈值电压相对较低,使得XP162A12A6PR在较低的偏置电压下便能迅速导通,有利于实现低功耗操作。
  4. 漏源导通电阻:170mΩ @ 1.5A, 4.5V

    • 该器件的漏源导通电阻低至170mΩ,有效减少了在导通状态下的功耗,从而提高整体效率。
  5. 最大功率耗散(Ta=25°C):2W

    • 在25°C环境下,该器件能够承载最大2W的功率,适合于中等功率电源的设计,这为电路的热管理提供了灵活性。

封装和适用性

XP162A12A6PR采用紧凑的SOT-89-3封装,适合高密度的PCB设计,同时也简化了生产和组装过程。其小巧的尺寸使其适用于手持设备、消费电子产品以及其他空间受限的应用中,诸如移动电话、平板电脑和可穿戴设备。

应用场景

该P沟道MOSFET可广泛应用于以下场景:

  • 电源管理:XP162A12A6PR可以用作电源开关,在充电器、直流-直流转换器和稳压电源中非常有效。
  • 逻辑电平转换:在多种电子电路中,作为逻辑开关在不同电压等级之间进行转换。
  • LED驱动:适合用作LED照明系统中的驱动元件,高效的开关特性能够提高LED的亮度和响应速度。
  • 小型电动机控制:在直流电动机控制电路中,使用该MOSFET能够实现高效的电流开关,提升电机的工作效率。

结论

总之,XP162A12A6PR P沟道场效应管凭借其优异的电气性能、低开关损耗及紧凑封装,成为众多电子设计中理想的选择。其适用于广泛的应用领域,能够满足现代电子产品对高效率和小型化的需求,为设计工程师提供了可靠和高效的解决方案。作为TOREX品牌下的一款高质量MOSFET,XP162A12A6PR无疑是推动电子技术发展的重要组件之一。