漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.5A |
栅源极阈值电压 | 1.2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 170mΩ @ 1.5A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | 类型 | P沟道 |
XP162A12A6PR 是一款高性能的 P沟道增强型场效应管,广泛应用于各种模拟和数字电路的开关控制功能。该器件由知名品牌 TOREX(特瑞仕)生产,具有优良的电气性能和紧凑的封装形式(SOT-89-3),适合于空间有限的应用场景。
漏源电压(Vdss):20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.5A
栅源极阈值电压:1.2V @ 1mA
漏源导通电阻:170mΩ @ 1.5A, 4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C):2W
XP162A12A6PR采用紧凑的SOT-89-3封装,适合高密度的PCB设计,同时也简化了生产和组装过程。其小巧的尺寸使其适用于手持设备、消费电子产品以及其他空间受限的应用中,诸如移动电话、平板电脑和可穿戴设备。
该P沟道MOSFET可广泛应用于以下场景:
总之,XP162A12A6PR P沟道场效应管凭借其优异的电气性能、低开关损耗及紧凑封装,成为众多电子设计中理想的选择。其适用于广泛的应用领域,能够满足现代电子产品对高效率和小型化的需求,为设计工程师提供了可靠和高效的解决方案。作为TOREX品牌下的一款高质量MOSFET,XP162A12A6PR无疑是推动电子技术发展的重要组件之一。