V60D100C-M3/I 产品实物图片
V60D100C-M3/I 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

V60D100C-M3/I

商品编码: BM0000285744
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SMPD
包装 : 
编带
重量 : 
0.672g
描述 : 
肖特基二极管 1对共阴极 810mV@30A 100V 30A TO-263
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
11.28
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥11.28
--
100+
¥9.72
--
1000+
¥9.25
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

V60D100C-M3/I参数

直流反向耐压(Vr)100V平均整流电流(Io)30A
正向压降(Vf)810mV @ 30A二极管配置1 对共阴极
二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)30A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)810mV @ 30A
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1mA @ 120V
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型供应商器件封装SMPD

V60D100C-M3/I手册

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V60D100C-M3/I概述

V60D100C-M3/I 产品概述

产品简介

V60D100C-M3/I 是威世(VISHAY)推出的一款高性能肖特基二极管,具有卓越的电气性能和广泛的应用灵活性。该元器件采用1对共阴极配置,专为在需要高效率和低正向压降的电源管理和整流应用设计。凭借其出色的直流反向耐压和平均整流电流能力,V60D100C-M3/I 适用于多种工业、消费电子和电源转换设备。

主要参数

  • 直流反向耐压(Vr): 100V
  • 平均整流电流(Io): 每二极管30A
  • 正向压降(Vf): 在30A时,典型值为810mV
  • 反向泄漏电流: 在120V时为1mA
  • 工作温度范围: -40°C ~ 150°C
  • 封装类型: TO-263(SMPD),适合表面贴装

工作原理

肖特基二极管因其快速导通特性和较低的正向压降在电流流动时而受到青睐。与传统的PN结二极管相比,肖特基二极管实现了更高的效率,这主要源于其内部电极结构的独特设计。V60D100C-M3/I 利用金属-半导体结的原理,在正向偏置时,提供了较小的正向压降,降低了功耗。

应用领域

V60D100C-M3/I 广泛应用于电源转换、DC-DC转换器、整流电路和逆变器等。它特别适合于:

  • 开关电源(SMPS)
  • 光伏逆变器
  • 电池管理系统
  • 直流电机驱动
  • 高频开关电源

其高耐压特性使其能够在高压应用环境中稳定工作,适合需要长期、高负荷运行的场合。

性能优势

  1. 低正向压降: 在30A电流下,仅810mV的正向压降使得其在大功率转换过程中显著降低能量损耗,提升系统的整体效率。
  2. 快速恢复特性: 其快速恢复特性(<= 500ns)保证了在转换过程中的高效响应,适合高频开关应用。
  3. 宽温工作范围: 该器件在-40°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作,满足严苛环境下的应用需求。
  4. 低反向泄漏当前: 120V时的反向泄漏电流仅为1mA,有助于降低静态功耗,提升系统的功率效率。

安装与封装

V60D100C-M3/I 采用TO-263封装,设计用于表面贴装(SMD)技术,易于集成到现代电子产品中。其封装设计兼顾机械强度和热导性,有助于保持器件在高负荷运行时的散热性能。

总结

V60D100C-M3/I 是一款集先进工艺、优越性能于一体的肖特基二极管,广泛适用于需要高效率和可靠性的电源管理解决方案。无论是在开关电源、整流器还是电池管理系统中,该器件都能够提供卓越的性能表现,是电子设计工程师的理想选择。通过利用 V60D100C-M3/I,设计师能够实现更高的电源效率和更低的热量产生,从而提高整体系统的可靠性与性能。