反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 50V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 50V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 50V | 不同 Vr、F 时电容 | 20pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
US1A-13-F是美台(DIODES)公司推出的一款高效率快恢复二极管,广泛应用于整流电路和电力转换领域。它的设计特点与技术规格使其成为电子设备中非常可靠的选择,尤其适用于那些对电流和电压有严格要求的应用场合。
基本规格与参数
US1A-13-F的反向恢复时间(trr)为50纳秒,这一参数使得它在高频率工作环境下依然能保持良好的性能。此外,其直流反向耐压(Vr)可达50V,这保证了该器件在处理高电压时的可靠性。对于大多数常见的整流应用,US1A-13-F的平均整流电流(Io)为1A,确保了其在标准工作条件下的稳定输出能力。而正向压降(Vf)为1V @ 1A,这在维持高效能的同时,有助于减少在电路中产生的功耗。
反向电流与 leakage current
在反向电流和反向泄漏方面,US1A-13-F 的表现也很出色。其在50V的条件下,反向泄漏电流仅为5µA,这意味着二极管在不导通时消耗的能量极低,从而提高整个电路的效率。这一特性对低功耗和高效能的设计尤为重要,因为它减少了待机功耗,提高了设备的整体效能。
电容特性
US1A-13-F的电容特性同样值得关注。在4V和1MHz频率下,器件的电容值为20pF,这使得其在进行高速开关操作时表现得非常稳定。这对于应用于高频开关电源和其它快速切换电路的场合则提供了许多性能优势。
温度与封装
该器件的工作温度范围非常广泛,结温可在-65°C至150°C之间变化,这使得US1A-13-F可以适应各种恶劣环境,适合于航空航天、汽车电子、消费电子和工业控制等领域的应用。同时,US1A-13-F采用SMA封装,符合表面贴装型的标准,便于在现代电子产品设计中进行集成,减少了电路板的占用空间,提高了设计的灵活性。
实际应用
US1A-13-F适用于多种应用场景,包括但不限于电源适配器、开关电源、音频设备、电机驱动和任何需要快速恢复的整流块。这些商品的长期稳定性、低损耗特性和小型化设计,使得US1A-13-F成为现代电力电子领域的理想选择。
通过上述分析,US1A-13-F不仅具备优异的电气性能参数,诸如快速恢复、低正向压降和极小的反向泄漏流,也凭借其宽广的工作温度范围和方便的封装形式,为设计者提供了极大的便利。美台(DIODES)作为知名的半导体制造商,其产品的可靠性和性能一直得到业界的认可。而US1A-13-F正是其在快恢复二极管领域的一个杰出代表,适合在各类现代电子产品中广泛应用。无论是在高频开关电源还是在汽车电子、航空航天等领域,US1A-13-F都将为工程师们的设计和项目开发提供强大支持。